Transistor Jfet Y Fuentes Lineales

INSTITUTO TECNOLOGICO DE SALTILLO

TRABAJO FINAL ELECTRONICA ANALOGICA
ALUMNO:
LUIS EDUARDO GUTIERREZ GARCIA
INGENIERO:
JOAQUIN ANTONIO ALVARADO BUSTOS

SALTILLO, COAHUILA 28 DE NOVIEMBRE DEL 2012

Configuración JFET
Introducción
A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field EffectTransistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:
* Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field Effect Transistor).
* Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Diferencias existentes entre los transistores FET y los BJT.
En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en elhecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los transistores FET son dispositivos controlados por tensión. En ambos casos, la corriente del circuito de salida es controlada por un parámetro del circuito de entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensión aplicada
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controlala anchura del camino de conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión).
De forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.
Una diferencia importante entre ambos tipos detransistores consiste en que mientras que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conducción dependerá únicamente de un único tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p
Características de los TransistoresFETs
* Su alta impedancia de entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de megaóhmios.
* Son más estables con la temperatura.
* Normalmente, más pequeños en construcción que los BJT.
* Particularmente útiles en circuitos integrados (sobre todo los MOSFET).
* Se pueden comportar como si se tratasen de resistencias o condensadores.
Transistores de unión deefecto de campo (JFET).
Estructura
Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:
* JFET de canal n
* JFET de canal p
Podemos observar como la mayor parte de la estructura es de material tipo n ligeramente dopado formando un canal con contactos óhmicos en ambos extremos (terminales de Drenador y Fuente). Este canal se encuentra inserto entre dos regiones de compuerta tipo p+(material tipo p fuertemente dopado) con sendos contactos óhmicos que constituyen los terminales de puerta. En algunos casos los dos terminales de puerta están accesibles (JFET de doble puerta) aunque lo más habitual es que ambos terminales estén cortocircuitados teniendo un único terminal de puerta (dispositivo de tres terminales) En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n queaparecen están sin polarizar.
El resultado es una región de vaciamiento o zona de deplexión (región carente de portadores libres) de forma similar a la que se vio en su día al analizar en el diodo la unión p-n en ausencia de polarización.
Características Principales
1.-  Alta impedancia de entrada
2.-  Se logran altas escalas de integración en circuitos integrados
3.- Se pueden utilizar comomemorias digitales al almacenar en su capacitancia información en forma de voltaje
4.-  Se pueden utilizar como resistores controlados por voltaje en la región ohmica de trabajo
5.-  Su condición de trabajo depende menos de la temperatura que la del BJT
6.-  Presentan la capacidad de manejar grandes corrientes
7.-  Pueden conmutar a altas velocidades
8.-  Son sensibles a la estática
9.-  No se...