Transistor mosfet

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS.
Fue ideado teóricamente por el alemán JuliusVon Edgar Lilienfeld en 1930, pero por problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento de cómo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor, se fabricaron décadas mastarde hasta décadas más tarde.
El metal-semiconductor de óxido de campo-efecto transistor (MOSFET, MOS-FET, o MOS FET) es un dispositivo que sirve para ampliar o cambiar las señales electrónicas.
Untransistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctricoculminada por una capa de conductor.
Existen cuatro tipos de transistores MOS:
* Enriquecimiento de canal N
* Enriquecimiento de canal P
* Empobrecimiento de canal N
* Empobrecimientode canal P

Los transistores MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay altatensión o hay electricidad estática.
        
Las áreas de difusión se denominan fuente y drenador, y el conductor entre ellos es la puerta.
El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:Estado de corte
Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato, el MOSFET está en estado de no conducción: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque se aplique unadiferencia de potencial entre ambos. También se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.
Conducción lineal
Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), secrea una región de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (electrones en nMOS, huecos en pMOS) en la...