Transistor mosfet
Páginas: 4 (895 palabras)
Publicado: 13 de abril de 2010
TRANSISTOR MOSFET
MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor másutilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.
Transistor MOSFET de empobrecimiento canal N.Transistor MOSFET de empobrecimiento canal P
Historia
Fue ideado teóricamente por el alemán Julius von Edgar Lilienfeld en 1930, aunque debido a problemas de carácter tecnológico y eldesconocimiento acerca de cómo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar hasta décadas más tarde. En concreto, para que este tipo de dispositivos pueda funcionarcorrectamente, la intercara entre el sustrato dopado y el aislante debe ser perfectamente lisa y lo más libre de defectos posible. Esto es algo que sólo se pudo conseguir más tarde, con el desarrollo dela tecnología del silicio.
[pic]
Curvas característica y de salida de un transistor MOSFET de acumulación canal n.
[pic]
Curvas característica y de salida de un transistor MOSFET dedeplexión canal n.
Funcionamiento
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuestoseparadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo sehaya realizado el dopaje:
• Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.
• Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.
Las áreas de difusión se denominanfuente(source) y drenador(drain), y el conductor entre ellos es la puerta(gate).
El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:
Estado de corte
Cuando la tensión de la puerta es idéntica a...
MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor másutilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.
Transistor MOSFET de empobrecimiento canal N.Transistor MOSFET de empobrecimiento canal P
Historia
Fue ideado teóricamente por el alemán Julius von Edgar Lilienfeld en 1930, aunque debido a problemas de carácter tecnológico y eldesconocimiento acerca de cómo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar hasta décadas más tarde. En concreto, para que este tipo de dispositivos pueda funcionarcorrectamente, la intercara entre el sustrato dopado y el aislante debe ser perfectamente lisa y lo más libre de defectos posible. Esto es algo que sólo se pudo conseguir más tarde, con el desarrollo dela tecnología del silicio.
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Curvas característica y de salida de un transistor MOSFET de acumulación canal n.
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Curvas característica y de salida de un transistor MOSFET dedeplexión canal n.
Funcionamiento
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuestoseparadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo sehaya realizado el dopaje:
• Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.
• Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.
Las áreas de difusión se denominanfuente(source) y drenador(drain), y el conductor entre ellos es la puerta(gate).
El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:
Estado de corte
Cuando la tensión de la puerta es idéntica a...
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