Transistor tipo MOSFET
Páginas: 2 (310 palabras)
Publicado: 6 de junio de 2013
Transistor MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
Características
Una de suscaracterísticas es que tiene cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del surtidor, y poreste motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo.
Su consumo en modo estático muy bajo.
Tiene un tamaño muy inferior altransistor bipolar.
Tiene una gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
No necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
La velocidad de conmutación es muy alta,siendo del orden de los nanosegundos.
Tipos de transistores MOSFET
Existen dos tipos de MOSFET en función de su estructura interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento.
Los deempobrecimiento tienen un gran campo de aplicación como amplificadores de señales débiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada.
Los de enriquecimiento tienen unamayor aplicación en circuitos digitales y sobre todo en la construcción de circuitos integrados, debido a su pequeño consumo y al reducido espacio que ocupan.
Aplicación
La forma más habitual deemplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.
Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:
Resistenciacontrolada por tensión.
Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creación deun canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensión en la compuerta. La tensión de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una región de...
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
Características
Una de suscaracterísticas es que tiene cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del surtidor, y poreste motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo.
Su consumo en modo estático muy bajo.
Tiene un tamaño muy inferior altransistor bipolar.
Tiene una gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
No necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
La velocidad de conmutación es muy alta,siendo del orden de los nanosegundos.
Tipos de transistores MOSFET
Existen dos tipos de MOSFET en función de su estructura interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento.
Los deempobrecimiento tienen un gran campo de aplicación como amplificadores de señales débiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada.
Los de enriquecimiento tienen unamayor aplicación en circuitos digitales y sobre todo en la construcción de circuitos integrados, debido a su pequeño consumo y al reducido espacio que ocupan.
Aplicación
La forma más habitual deemplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.
Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:
Resistenciacontrolada por tensión.
Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creación deun canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensión en la compuerta. La tensión de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una región de...
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