Transistor Trabajando Como Interruptor Regiónes De Corte Y Saturación

Introducción a la Electrónica Digital

Práctico Nro 6
TRANSISTOR TRABAJANDO COMO INTERRUPTOR
REGIÓNES DE CORTE Y SATURACIÓN

Integrantes:
Fernando Torres

Mesa Nro: 2

Fecha de Entrega
25/06/09

Tabla de Contenidos

1 Objetivo.................................................................................... Pag 3
2 Fundamentoteórico.................................................................... Pag 3
3 Procedimiento............................................................................ Pag 5
4 Observaciones........................................................................... Pag 6
5 Conclusiones.............................................................................. Pag 6
6Bibliografía................................................................................. Pag 6

Objetivo

El objetivo del presente práctico es diseñar un circuito eléctrico formado por un transistor BJT NPN, con el fin de estudiar y visualizar la polarización del mismo trabajando en las regiones de corte (circuito abierto) y saturación (circuito cerrado).

Fundamento teórico.

Un transistor de unión bipolar consiste entres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.

La base está físicamente localizada entreel emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran β.

En una configuraciónnormal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede serconsiderado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada sedesbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P, los cuales generan "huecos"como portadores mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe ser menor alancho de difusión de los electrones.
Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados:
* Región activa:
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende...