transistor ujt

Transistor uniunión

1

Transistor uniunión
El transistor uniunión (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de
tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminalesdenominados emisor (
), base uno (
) y base dos (
). Está formado
por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales

, en la

que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algúnpunto a lo largo de la
barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido
como razón de resistencias o factor intrínseco.
Símbolo del UJT.

Construcción

EstructuraCircuito equivalente
Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos de base se unen a los
extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican como
yrespectivamente. Un material de tipo p se utiliza
para formar una juntura p-n en el límite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal
llamado emisor (
) se hace apartir de este material tipo-p. El tipo n está ligeramente contaminado, mientras que
el de tipo p está fuertemente contaminado. Como el tipo n está ligeramente dopado, ofrece una alta resistenciamientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que está fuertemente contaminado.

Transistor uniunión

2

Características
Fijándose en la curva característica del UJT
se puedenotar que cuando el voltaje
sobrepasa un valor

de ruptura, el UJT

presenta un fenómeno de modulación de
resistencia que, al aumentar la corriente que
pasa por el dispositivo, la resistencia deesta
baja y por ello, también baja el voltaje en el
dispositivo, esta región se llama región de
resistencia negativa, este es un proceso
realimentado positivamente, por lo que esta
región no esestable, lo que lo hace
excelente para conmutar, para circuitos de
disparo de tiristores y en osciladores de relajación.

Operación
El UJT se polariza normalmente según se vé en su curva de...