TRANSISTOR UJT

2. TRANSISTOR MONOUNIÓN
El transistor monounión es un dispositivo de estado sólido de material
semiconductor muy popular por su excepcional simplicidad, de adquisición comercial a
partir de 1952; identificándolo con el nombre de: UJT (del inglés Unijuntion transistor),
transistor monódico, transistor unijuntura y transistor monojuntura. Su estabilidad de
encendido y su alta resistenciaeléctrica en su estado no conductor, han garantizado su
uso en varias aplicaciones, particularmente en circuitos electrónicos de temporizadores
y osciladores.
El transistor monounión es un dispositivo de tres terminales: una terminal
llamada emisor, mientras que las dos restantes son llamadas base 1 (uno) y base 2
(dos). Tiene una unión P-N y por ello es completamente diferente al transistor deunión
convencional. Como característica especial cuenta con una región de resistencia
negativa y una tensión de disparo.
2.1 PARÁMETROS
La construcción básica se ilustra en la figura 2.1, constituida por una barra de
silicio con una impurificación mediana tipo N, en los extremos de la barra se localizan la
base 1 (B1) y la base 2 (B2), en la parte media de la barra en uno de sus costados(generalmente) se localiza una zona altamente impurificada tipo P; la cual forma la
unión PN de donde se toma el emisor (E).

Figura 2.1
Cuando se trata del transistor monounión, lo normal es el de suponer que
hablamos del ya descrito con anterioridad (tipo N), pero existe el transistor monounión
tipo P que es su complementario. En el transistor monounión tipo P a la barra se le

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aplicauna impurificación de éste tipo y a la región del emisor se le suministra una
impurificación tipo N.
Del grado de impurificación de la barra se tiene una resistencia entre bases RBB
relativamente alta (resistencia de interbases), parámetro dado por el fabricante a una
temperatura de 25ºC con un rango típico de resistencia entre 4 y 12 KΩ, para diversos
dispositivos disponibles en el mercado.El símbolo estandarizado para el transistor monounión se muestra en la figura
2.1, indicando la terminal del emisor con una flecha oblicua la cual indica el sentido de
corriente convencional (flujo de huecos) dado para la operación del dispositivo en
estado activo.
El comportamiento eléctrico del dispositivo define su diagrama equivalente,
figura 2.1, en el que el emisor se comporta como undiodo por la unión PN (D) y su
localización física en la barra de silicio divide la resistencia de interbases, una de valor
fijo RB2 y otra de valor variable RB1 para el estado activo. Para corriente de emisor nula
(IE = 0) la resistencia de interbases tiene el valor de:
(2.1

RBB = RB1 + RB2
Donde:
RBB Resistencia de base 1 (uno) a base 2 (dos), Ohm (Ω).
RB1 Resistencia del cátodo deldiodo a la base 1 (uno),Ohm (Ω).
RB2 Resistencia del cátodo del diodo a al base 2 (dos), Ohm (Ω).

En el análisis de operación del transistor monounión es necesario conocer los
valores de las resistencias intrínsecas RB1 y RB2, cuyos valores no son suministrados
por el fabricante, pero suministra el valor del parámetro que la relaciona llamado razón
intrínseca de bloqueo, simbolizado por laletra griega eta (η). Los valores típicos de la
razón intrínseca de bloqueo (η) van de 0.4 a 0.9 dependiendo del transistor en
cuestión. Con el fin de comprender el funcionamiento del transistor monounión
haremos referencia a la figura 2.2, en la que se muestran las fuentes de polarización
aplicadas al dispositivo.

Figura 2.2

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En el diagrama equivalente del transistor monounión de lafigura 2.3, para la
tensión de emisor nula (VE = 0) y la d.d.p. de interbases distinto de 0 (VB12 ≠ 0), la
terminal de conexión de la base 2 (dos) es positiva respecto a la terminal de conexión
de la base 1 (uno) y el diodo se encuentra polarizado inversamente através del divisor
de voltaje, formado por las resistencias internas del transistor.

Figura 2.3
La circulación de la corriente...