Transistor Ujt

1. Tema
UJT (Unijunction transistor)

2. Fundamento teórico
TRANSISTOR POTENCIA UJT |
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El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión PN.
Físicamente el UJT consiste de una barra dematerial tipo N con conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N.
En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando así una unión PN.
Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurreeste disparo está dado por la fórmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1
Donde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT está constituido por dosregiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor.. El emisor está fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10KΩestando el emisor abierto). El modelo equivalente está constituido por un diodo que excita la unión de dos resistencias internas, R1 y R2, queverifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como  (12.10) En donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y n es el factor de división de tensión conocido como relación intrínseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción los transistores lacaída de tensión en R1 es muy baja.  Figura 12.21. Transistor UJT. a) Estructura física, b) modelo equivalente,c) circuito equivalente y d) símbolo. Funcionamiento de un UJTEl funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica de la se describe las características eléctricas de este dispositivo a través de la relación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Sedefinen dos puntos críticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point (VV, IV), ambos verifican la condición de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de operación: región de corte, región de resistencia negativa y región de saturación, que se detallan a continuación: Figura 12.22. Características eléctricas de un UJT. Región de corte. En esta región, latensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la región de corte. En la figura también se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 seencuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una forma similar a la característica eléctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.Nota:
- Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip.
- Es importante hacer notar que también se ha construido el UJT donde la barra es de material tipo P (muy poco).Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revésAplicaciones del UJTUna de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR.En la figura, se muestra el esquema de uno de estos...