transistor UJT
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Publicado: 10 de marzo de 2014
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR.
En la gráfica de la figura 12.22 se describe las características eléctricas de este dispositivo a través de la relación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE).
Se definen dos puntos críticos: punto de pico o peak-point (Vp, Ip) y punto de valle o valley-point (Vv, Iv), ambos verifican la condición de dVE/dIE = 0.Estos punto a su vez definen tres regiones de operación: región de corte, región de resistencia negativa y región de saturación, que se detallan a continuación:
Región de corte
En esta región, la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP.
Esta tensión depico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación:
donde la VF varía entre 0.35 V a 0.7 V con un valor típico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25ºC. El UJT en esta región se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.
Región de resistencia negativa
. Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir,VE=VPentonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación.
Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta región, la corriente de emisor está comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP < IE
Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. En esta región, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJTentrará de formanatural a la región de corte.
En la figura 12.22 también se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2 = 0). Esta curva tiene una forma similar a la característica eléctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.
Transistor uni-unión o UJT
El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT estáconstituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor.
En la figura 12.21.a aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor está fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n.
Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto).
El modeloequivalente representado en la figura 12.21.b está constituido por un diodo que excita la unión de dos resistencias internas, R1 y R2 , que verifican RBB = R1 + R2.
Cuando el diodo no conduce, la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como
en donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y n es el factor de división de tensión conocido como relación intrínseca.
El modelode este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 12.21.c, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción los transistores la caída de tensión en R es muy baja. El símbolo del UJT se muestra en la figura 12.21.d.
El transistor UJT o de uni-unión
El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT esta constituidopor dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura 12.21.a aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor esta fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10KΩestando el emisor abierto).
El modelo equivalente...
En la gráfica de la figura 12.22 se describe las características eléctricas de este dispositivo a través de la relación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE).
Se definen dos puntos críticos: punto de pico o peak-point (Vp, Ip) y punto de valle o valley-point (Vv, Iv), ambos verifican la condición de dVE/dIE = 0.Estos punto a su vez definen tres regiones de operación: región de corte, región de resistencia negativa y región de saturación, que se detallan a continuación:
Región de corte
En esta región, la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP.
Esta tensión depico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación:
donde la VF varía entre 0.35 V a 0.7 V con un valor típico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25ºC. El UJT en esta región se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.
Región de resistencia negativa
. Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir,VE=VPentonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación.
Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta región, la corriente de emisor está comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP < IE
Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. En esta región, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJTentrará de formanatural a la región de corte.
En la figura 12.22 también se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2 = 0). Esta curva tiene una forma similar a la característica eléctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.
Transistor uni-unión o UJT
El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT estáconstituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor.
En la figura 12.21.a aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor está fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n.
Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto).
El modeloequivalente representado en la figura 12.21.b está constituido por un diodo que excita la unión de dos resistencias internas, R1 y R2 , que verifican RBB = R1 + R2.
Cuando el diodo no conduce, la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como
en donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y n es el factor de división de tensión conocido como relación intrínseca.
El modelode este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 12.21.c, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción los transistores la caída de tensión en R es muy baja. El símbolo del UJT se muestra en la figura 12.21.d.
El transistor UJT o de uni-unión
El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT esta constituidopor dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura 12.21.a aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor esta fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10KΩestando el emisor abierto).
El modelo equivalente...
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