Transistor Ujt
Páginas: 3 (554 palabras)
Publicado: 20 de febrero de 2013
El transistor UJT o de uni-unión
El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En lafigura 12.21.a aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor esta fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases,RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10KΩestando el emisor abierto).
El modelo equivalente está constituido por un diodo que excita la unión de dos resistencias internas, R1 y R2, queverifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como
(12.10)
en donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y es el factor dedivisión de tensión conocido como relación intrínseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción lostransistores la caída de tensión en R1 es muy baja.
DIAC
El diac (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivosemiconductor de dos conexiones.Es undiodobidireccional disparable que conduce lacorriente sólo tras haberse superado sutensión de disparo,y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor característico para ese dispositivo.
El comportamiento es fundamentalmente elmismo para ambasdirecciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo dealrededor de 30V. En este sentido, su comportamiento es similar a unalámpara de neón.Los diac son unaclase detiristor , y se usan normalmente para disparar lostriac, otra clasede tiristor.Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados ánodo y cátodo. Actúa comoun interruptor bidireccionalel cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanzael voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts según la referencia.
SBS
ciertos niveles, para disparar el...
El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En lafigura 12.21.a aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor esta fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases,RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10KΩestando el emisor abierto).
El modelo equivalente está constituido por un diodo que excita la unión de dos resistencias internas, R1 y R2, queverifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como
(12.10)
en donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y es el factor dedivisión de tensión conocido como relación intrínseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción lostransistores la caída de tensión en R1 es muy baja.
DIAC
El diac (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivosemiconductor de dos conexiones.Es undiodobidireccional disparable que conduce lacorriente sólo tras haberse superado sutensión de disparo,y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor característico para ese dispositivo.
El comportamiento es fundamentalmente elmismo para ambasdirecciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo dealrededor de 30V. En este sentido, su comportamiento es similar a unalámpara de neón.Los diac son unaclase detiristor , y se usan normalmente para disparar lostriac, otra clasede tiristor.Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados ánodo y cátodo. Actúa comoun interruptor bidireccionalel cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanzael voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts según la referencia.
SBS
ciertos niveles, para disparar el...
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