transistor VMOSFET
Páginas: 2 (285 palabras)
Publicado: 2 de octubre de 2013
INVESTIGACION SOBRE UN VMOSFET
Este tipo de MOSFET fue desarrollado para aumentar la capacidad de manejo de potencia en dispositivos de estado sólido; en ellos el canal deconducción se ha modificado para formar una “V” en lugar de la línea recta convencional entre fuente y drenador.
Se añade una capa de semiconductor adicional.
El términoVMOS se deriva del hecho de que la corriente entre fuente y drenador sigue un trayecto vertical debido a la construcción. El drenaje está ahora localizado en una pieza dematerial semiconductor adicional.
Los FETS convencionales están limitados a corrientes del orden de mili amperes, pero los FET VMOS se encuentran disponibles para corrientes delorden de los 100 A. Esto proporciona un gran incremento de potencia respecto a los FETS convencionales. El dispositivo utiliza dos conexiones para la fuente y en consecuencia hay unagran área mucho a través del cual puede fluir la corriente. Esto reduce la resistencia ON del dispositivo lo que le permite manejar potencias mucho más altas que FET convencional.Otras ventajas adicionales de los VMOS son las siguientes:
Coeficiente de temperatura negativo para prevenir fallas térmicas
Baja corriente de fuga
Alta velocidad econmutación
Posibilidad de ser utilizados como BJT para amplificadores lineales de alta potencia
La compuerta se compone de un área metalizada sobre la ranura V y este controla elflujo de corriente en la región P. A medida que la compuerta se fabrica de esta manera que significa que el dispositivo conserva la excepcionalmente alta resistencia de entradatípica de la familia de dispositivos MOS.
El principal inconveniente del FET VMOS es que la estructura es más complicada que un FET tradicional y esto hace que sea un poco más caro.
Este tipo de MOSFET fue desarrollado para aumentar la capacidad de manejo de potencia en dispositivos de estado sólido; en ellos el canal deconducción se ha modificado para formar una “V” en lugar de la línea recta convencional entre fuente y drenador.
Se añade una capa de semiconductor adicional.
El términoVMOS se deriva del hecho de que la corriente entre fuente y drenador sigue un trayecto vertical debido a la construcción. El drenaje está ahora localizado en una pieza dematerial semiconductor adicional.
Los FETS convencionales están limitados a corrientes del orden de mili amperes, pero los FET VMOS se encuentran disponibles para corrientes delorden de los 100 A. Esto proporciona un gran incremento de potencia respecto a los FETS convencionales. El dispositivo utiliza dos conexiones para la fuente y en consecuencia hay unagran área mucho a través del cual puede fluir la corriente. Esto reduce la resistencia ON del dispositivo lo que le permite manejar potencias mucho más altas que FET convencional.Otras ventajas adicionales de los VMOS son las siguientes:
Coeficiente de temperatura negativo para prevenir fallas térmicas
Baja corriente de fuga
Alta velocidad econmutación
Posibilidad de ser utilizados como BJT para amplificadores lineales de alta potencia
La compuerta se compone de un área metalizada sobre la ranura V y este controla elflujo de corriente en la región P. A medida que la compuerta se fabrica de esta manera que significa que el dispositivo conserva la excepcionalmente alta resistencia de entradatípica de la familia de dispositivos MOS.
El principal inconveniente del FET VMOS es que la estructura es más complicada que un FET tradicional y esto hace que sea un poco más caro.
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.