Transistor

Universidad Latina de Costa Rica
Bachillerato en Ingeniería Electromecánica


ELECTRÓNICA I


TRANSISTORES


Alumno:

Rafael Finol




Abril/2012

Transistor:
Es un dispositivo semiconductor de 3 capas de consta de ya sea dos capas de material tipo “n” y una capa tipo “p”, o bien de dos capas de material tipo “p” y una tipo “n”.
Al primero se le denomina transistor tipo“npn” y al segundo “pnp”:


Operación:
La operación del transistor npn es exactamente la misma al del pnp que si se intercambiaran los papeles desempeñados por el electrón y el hueco. En la figura se dibuja un pnp sin la polarización base-colector.

Polarización inversa de un transistor pnp:

Considerando las similitudes podemos decir que una unión p-n de un transistor se encuentra enpolarización inversa, mientras que la otra se encuentra en polarización directa.
En la siguiente figura ambos potenciales de polarización se aplicaron sobre un transistor pnp, con flujo de portadores mayoritarios y minoritarios resultante indicado. Los espesores en las regiones de agotamiento que indican claramente cuál unión se encuentra en polarización directa y cuál en polarización inversa. Una grancantidad de portadores mayoritarios se difundirán a través de la unión p-n en polarización directa hacia el material tipo n. La cuestión ahora es si estos portadores contribuirán de forma directa con la corriente de base IB o si pasarán directamente hacia el material tipo p. Debido a que el material de tipo n del centro es muy delgado y tiene una baja conductividad, un número muy pequeño de estosportadores tomará esta trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base. La magnitud de la corriente de base típicamente se encuentra en el orden de los croamperes, comparado con los miliamperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión en polarización inversa, hacia el material tipo p conectadoa la terminal del colector. El motivo de esta facilidad relativa con la que los portadores mayoritarios pueden atravesar la unión en polarización inversa se comprende con facilidad si se considera que para el diodo en polarización inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores minoritarios hacia el material de la región de la base tipo n. Combinado esto con el hecho deque todos los portadores minoritarios en la región de agotamiento atravesarán la unión en polarización inversa de un diodo, es posible explicar el flujo que se indica en:


Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al transistor, como si se tratara de un nodo solo, se obtiene:
IE = IC + IB
Y se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base. Sinembargo, la corriente del colector está formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios. Al componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga y se le asigna el símbolo ICO (Corriente IC con la terminal del emisor abierta). Por tanto, la corriente del colector se determina en su totalidad mediante la ecuación:
IC = ICmayoritario + ICOminoritario
Paratransistors de propósito general, IC se mide en miliamperes, mientras que ICO se mide en microamperes o en nanoamperes. ICO, al igual que I, para un diodo en polarización inversa, es sensible a la temperatura y debe analizarse cuidadosamente cuando se consideren aplicaciones con intervalos amplios de temperatura. Si esto no se considera apropiadamente, puede afectar de manera importante laestabilidad de un sistema a una temperatura alta. Las mejoras en las técnicas de fabricación han provocado niveles significantes más bajos de ICO, a tal grado que casi es posible omitir su efecto.
Configuración de Base Común:
La terminología de base común se deriva del hecho de que la base es común tanto para la parte de entrada como para la de salida de la configuración. Por lo regular, la base es la...