Transistor













Contenido


Portada ……………………………………………………………………………….1


Contenido …………………………………………………………………………….2


Objetivo y Equipo….……………………………………………………………...….3Introducción...………………………………………………………...………………4


Procedimiento………………………………………………………………………....


Conclusión…………………………………..………………………………………...


Marco teórico……………………………………………………...…………………..Bibliografía……………………………………………………………………….……




























OBJETIVO
1. Investigar de manera introductoria el funcionamiento de un transistor BJT de propósito general.2. Utilizar tres métodos de polarización del transistor y estabilización del punto de operación. Investigar la alteración del punto de operación del transistor en función de 

EQUIPO
Fuente decd
Multímetro
10 Transistores 2N2222
Resistencias: 470, 5.1 k, 10 k, 100 k
Potenciómetro. 10 k y 5 M (1 R fija 2M, 1 R fija 2M, 1 pot 1M)
Tableta de conexión y accesoriosPARTE 1: INTRODUCCIÓN AL BJT
#1

Siga las instrucciones del profesor para medir la característica de diodo entre los distintos pares de terminalesdel BJT
#2.

1.1 Monte el circuito#1. Realice una prueba de diodo entre los distintos terminales del BJT, para comprobar la característica constructiva NPN del dispositivo.

Medición de uniónDiodo polarizado en
B(+)E(-)
0.868 directa
B(-) E(+)
0 inversa
B(+)C(-)
0.869 directa
B(-) C(+)
0 inversa



1.2 Monte el circuito #2. Varíe la resistencia de base RB demanera tal que el voltaje VCE de acuerdo con la tabla que se muestra a continuación. Mida y anote las cantidades solicitadas.








Tabla 4.1.
Medición de distintos puntos de operacióndel transistor

Vce
Vrc (V)
Ic (mA)
Ib (mA)
Vbe (V)
0.5
19.5
0
0
0.71
1
19.58
0
0.142
0.68
2
18.58
0...