TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION
Páginas: 22 (5269 palabras)
Publicado: 3 de junio de 2013
TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION
INTRODUCCÓIN
Durante el periodo de 1904 a 1947, el bulbo fue, sin duda, el dispositivo electrónico más interesante y también el que más se desarrollo. El diodo de bulbo fue introducido por J. A. Fleming en 1904. Poco tiempo después, en 1906, Lee De Forest le añadió un tercer elemento al diodo al vacío, denominado rejilla de control, lo cual dio por resultadoel tríodo, primer amplificador de su género. En Los arios subsecuentes, la radio y la televisión ofrecieron un gran estimulo a la industria de los bulbos. La producción se incremento de cerca de un millón de bulbos en 1922 a cien millones aproximadamente en 1937. A principio de los años treinta el tubo de vacío de cuatro y cinco elementos cobro gran importancia en la industria de los tuboselectrónicos al vacío. En los años siguientes la industria se convirtió en una de las más importantes y se lograron rápidos avances en el diseño, técnicas de manufactura, aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturización.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrónica registro la apari ci6n de un nuevo campo de interés y desarrollo. Fue esa tarde cuando WalterH. Brattain y Joseph Bardeen demostraron la acción amplificadora del primer transistor en la compañía Bell Telephone Laboratories. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra en la figura 3.1. Las ventajas de este dispositivo de estado solido de tres terminales respecto al bulbo se manifestaron de inmediato: era más pequeño y ligero, no tenia requerimientos decalentamiento o disipación de calor, su construcción era resistente y era más eficiente debi do a que el mismo dispositivo consumía menos potencia, estaba disponible para utilizarse de inmediato, no requería de un periodo de calentamiento y era posible utilizar voltajes de opera ción más bajos. Nótese que, a partir del análisis anterior, en este capítulo se aborda por primera vez el análisis dedispositivos con tres o más terminales. El lector encontrará que todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el voltaje, la corriente o nivel de potencia) tendrán por lo menos tres terminales, donde una controla de flujo de las otras dos terminales.
Los inventores del primer transistor en Los BellLaborato ries: Doctor William Shockley (sentado);
Doctor John Bardeen (izquierda); Doctor Walter H. Brattain.
(Cortesía de Los archivos AT&T.)Dr. Shockley Nació en: Londres. Inglaterra, 1910
PhD Harvard, 1936
Dr. Bardeen Nació en: Madison. Wisconsin, 1908 PhDPrinceton. 1936
Dr. Brattain Nació en: Amoy. China, 1902 PhD Universidad de
Minnesota, 1928
Figura 3.1 El primer transistor. (Cortesía Bell Telephone Laboratories.)CONSTRUCCIÓN DE TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de mate rial tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se le Rama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarización de dc adecuada. En el capítulo 4 encontrará que la polarización...
INTRODUCCÓIN
Durante el periodo de 1904 a 1947, el bulbo fue, sin duda, el dispositivo electrónico más interesante y también el que más se desarrollo. El diodo de bulbo fue introducido por J. A. Fleming en 1904. Poco tiempo después, en 1906, Lee De Forest le añadió un tercer elemento al diodo al vacío, denominado rejilla de control, lo cual dio por resultadoel tríodo, primer amplificador de su género. En Los arios subsecuentes, la radio y la televisión ofrecieron un gran estimulo a la industria de los bulbos. La producción se incremento de cerca de un millón de bulbos en 1922 a cien millones aproximadamente en 1937. A principio de los años treinta el tubo de vacío de cuatro y cinco elementos cobro gran importancia en la industria de los tuboselectrónicos al vacío. En los años siguientes la industria se convirtió en una de las más importantes y se lograron rápidos avances en el diseño, técnicas de manufactura, aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturización.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrónica registro la apari ci6n de un nuevo campo de interés y desarrollo. Fue esa tarde cuando WalterH. Brattain y Joseph Bardeen demostraron la acción amplificadora del primer transistor en la compañía Bell Telephone Laboratories. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra en la figura 3.1. Las ventajas de este dispositivo de estado solido de tres terminales respecto al bulbo se manifestaron de inmediato: era más pequeño y ligero, no tenia requerimientos decalentamiento o disipación de calor, su construcción era resistente y era más eficiente debi do a que el mismo dispositivo consumía menos potencia, estaba disponible para utilizarse de inmediato, no requería de un periodo de calentamiento y era posible utilizar voltajes de opera ción más bajos. Nótese que, a partir del análisis anterior, en este capítulo se aborda por primera vez el análisis dedispositivos con tres o más terminales. El lector encontrará que todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el voltaje, la corriente o nivel de potencia) tendrán por lo menos tres terminales, donde una controla de flujo de las otras dos terminales.
Los inventores del primer transistor en Los BellLaborato ries: Doctor William Shockley (sentado);
Doctor John Bardeen (izquierda); Doctor Walter H. Brattain.
(Cortesía de Los archivos AT&T.)Dr. Shockley Nació en: Londres. Inglaterra, 1910
PhD Harvard, 1936
Dr. Bardeen Nació en: Madison. Wisconsin, 1908 PhDPrinceton. 1936
Dr. Brattain Nació en: Amoy. China, 1902 PhD Universidad de
Minnesota, 1928
Figura 3.1 El primer transistor. (Cortesía Bell Telephone Laboratories.)CONSTRUCCIÓN DE TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de mate rial tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se le Rama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarización de dc adecuada. En el capítulo 4 encontrará que la polarización...
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