Transistores bipolares

Transistores
bipolares
Tipos de transistores
Tipos de transistores

NPN
BIPOLARES
PNP
CANAL N (JFET-N)

TRANSISTORES

UNIÓN

CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)

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Transistor
bipolar

Transistor de unión bipolar


El transistor de unión bipolar (BJT, Bipolar Junction
Transistor) es un ejemplo importante de componente
activo. Es undispositivo semiconductor usado para
amplificar señales eléctricas, sin embargo suele
utilizarse como interruptor para aplicaciones de control.



Éste componente semiconductor ésta presente en la
mayor parte de los circuitos electrónicos

2

Transistor
bipolar

Tipos de transistores
bipolares

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas;
esta compuesto ya sea de dos capas dematerial tipo n y
una tipo p o bien, de dos capas de material tipo p y una
tipo n.

Figura 1. Tipos de transistores.. a) pnp,
pnp, b) npn.
npn.

3

Transistor
bipolar

Polarización de las terminales de un
transistor
Configuración de emisor común

Esta configuración es la más frecuentemente usada para la
polarización de transistores npn y pnp. Se denomina
configuración de emisor común porque el emisores común
tanto a las terminales de entrada como a la salida.

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Transistor
bipolar

Característica
de Entrada

a)

Característica
de Salida

b)

Figura 2. Características de un transistor de silicio en la configuración de emisor común. a) características de base,
b) características de colector.

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Transistor
Regiones de operación del transistor bipolar
bipolar

Región de saturación: Suscaracterísticas principal es similar a un
interruptor cerrado, sus parámetros eléctricos son:
Ic: valor máximo, Ib >> 1 mA., Ie = Ic + Ib. Vce: valor mínimo.
Región de corte: Su característica principal es similar a un interruptor
abierto, sus parámetros eléctricos son:
Ic =< O mA., lb = O mA. Ie = O mA., Vce: valor máximo.
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Transistor
Regiones de operación del transistor bipolar
bipolar

Regiónde ruptura: Sus parámetros normales de operación son
excedidos llegando a dañar el dispositivo.
Región de máxima potencia. Sus parámetros de operación están
dentro del límite de operación, de mantenerse se promoverá la región de
ruptura.
Región activa: Sus parámetros son ideales a una temperatura menor a
25°C es en esta región, donde la corriente de base (Ib) controla a la
corriente de colector(Ic), en base a la ganancia de corriente.

7

Transistor
bipolar

Parámetros suministrado por los
fabricantes
C

IC
ICMAX
IC-MAX

Corriente máxima de colector

VCE-MAX

Tensión máxima CE

PMAX

Potencia máxima

HFE  

Ganancia

B
E
PMAX

SOAR

VCE-MAX
VCE

Área de operación segura
(Safety Operation Area)

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Transistor
bipolar

Empaque y Huella
En cualquier componente electrónico lasterminales sobre
salen del empaque, el cual esta diseñado para: radiar el
calor, protegerlo del medio ambiente y montarlo
mecánicamente al circuito impreso, además tiene impreso
sobre la superficie de éste, la matricula de identificación y
códigos de producción.

Figura 3. Tipos de empaque para transistores

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Transistor
bipolar

Empaque y Huella
La distancia en milímetros existente entre lasterminales,
define la huella del componente la cual es una distancia
estándar definida en las librerías de software de diseño de
circuitos impresos.

Figura 4. Huellas de transistor.

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Transistor
bipolar

El transistor bipolar como interruptor
accionado por corriente eléctrica.
Para emplear al transistor como interruptor, es necesario
describir su operación en base sus regiones de operación.

Figura 5.Transistor empleado como interruptor accionado por corriente eléctrica

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Transistor
bipolar

Métodos alternativos para identificar las
terminales de un transistor



Identificación de terminales empleando la función
comprobación de semiconductores



Prueba del amplificador



Usar función de medición de beta (hfe)

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Transistor
bipolar

1.

Identificación de polaridad y terminales
Use...