Transistores BJT

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN
•El primer transistor el 23 de Dic. De 1947
•Desarrollado por Walter H. Brattain y Joseph Barden
•Es un dispositivo semiconductor formado por dos
capas de materialtipo n (ó p) y una capa entre ellas de
material tipo p (ó n).
•Existen transistores npn ó pnp
•Dispositivos de 3 terminales (emisor, base y colector)
•La capa del emisor está fuertemente dopada
•La delcolector ligeramente dopada
•Y la de la base muy poco dopada, además más
delgada.

E

p

n

p

B
•Tiene dos uniones: Emisor-Base y Colector-Base
•Tiene 3 modos de operación: Corte, Saturación yActivo.
Modo

Unión E-B

Unión C-B

Corte

Inverso

Inverso

Activo

Directo

Inverso

Saturación

Directo

Directo

C

Transistores BJT en modo activo

E n

p
B

n

C

IC=IS(eVBE/VT)
IB=IC/IE=IC+IB=IC/

•En este modo la corriente de colector es determinada por la
ecuación anterior.
•La corriente de base es una fracción de la corriente de
colector
•El valor de  es típico de 100 a 200, y endispositivos
especiales hasta de 1000.
•La corriente del emisor es la suma de las corrientes

Considere un transistor npn con VBE=0.7 cuando Ic=1mA.
Encuentre VBE cuando la corriente del colector es 0.1mA y10mA. (VT=25mV a temperatura ambiente)

Los transistores de cierto tipo se especifican para tener
valores de  en el intervalo de 50 a 100, encuentre el
intervalo de valores de .

Considere untransistor npn con VE=-0.7 , una =50 .
Encuentre las corrientes de emisor, base y colector, además
el voltaje de colector.

C

n

n

p

C

E

E
B

B

Símbolo

Transistor BJT npn

C
B

IE

+
VBE

IB

-C

B

+
VBE

E

E

Modelos de primer orden en modo activo

p

C

p

n

C

E

E

B

B
Símbolo

Transistor BJT pnp

E
+

E

VBE

+
B

VEB

IB

B

C
Modelos de primer orden en modo activo

IE

CConfiguración de BASE
común

La corriente de colector es
constante, por tanto el
colector se comporta como
una fuente de corriente
constante en la región activa.

Características de
salida del...