Transistores caracteristicas

2N508 del transistor Hoja de datos. Parámetros y características.
Nombre del transistor: 2N508
Material: Ge
La estructura de transistor: pnp
Máxima disipación de potencia continua colector deltransistor (Pc): 200mW
Limite el colector DC-base (Ucb): 18V
Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 16V
Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V
Máxima corriente continua decolector del transistor (Ic max): 200mA
Temperatura límite de unión pn (Tj): 100�C
Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 2MHz
Capacidad de la unión decolector (Cc), Pf: 30
Estática coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con emisor común (Hfe), min/max: 120T
Fabricante: ELN
Caso: TO5
Aplicación de los transistores: Medium Power,General Purpose

2N6409 del transistor Hoja de datos. Parámetros y características.
Nombre del transistor: 2N6409
Material: Si
La estructura de transistor: npn
Máxima disipación de potencia continuacolector del transistor (Pc): 12W
Limite el colector DC-base (Ucb): 100V
Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 80V
Límite de tensión emisor-base (Ueb): 6V
Máxima corrientecontinua de colector del transistor (Ic max): 2A
Temperatura límite de unión pn (Tj): 150�C
Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 50MHz
Capacidad de launión de colector (Cc), Pf: 30
Estática coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con emisor común (Hfe), min/max: 50/250
Fabricante: MOTOROLA
Caso: X104-1
Aplicación de lostransistores: Medium Power, High Current

2N508A del transistor Hoja de datos. Parámetros y características.
Nombre del transistor: 2N508A
Material: Ge
La estructura de transistor: pnp
Máxima disipaciónde potencia continua colector del transistor (Pc): 200mW
Limite el colector DC-base (Ucb): 30V
Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 18V
Límite de tensión emisor-base (Ueb):...