Transistores de efecto de campo
Páginas: 3 (551 palabras)
Publicado: 18 de mayo de 2010
Transitores de efecto de campo.
Se trata de transistores unipolares, es decir , que solo trabajan con un tipo de portadores, al contrario de los transistores estudiados hasta ahora, los cualestrabajaban con dos tipos de portadores, electrones y huecos. Estos transistores sel llaman de efecto de campo porque el control de la corriente se ejerce mediante la influencia de un campo eléctricoexterior.
Estos transistores son de dos tipos:
- FET o JFET (Junction Field Effect Transistor).
- MOST o MOSFET o IGFET (Metal Oxide Semiconductorñ Transistor o Insulated Gate Field EffectTransistor).
Vamos a centrar el contenido de esta práctica en el JFET o FET de unión (Junction Field Effect Transistor)
Composición
El transistor de efecto de campo está compuesto por una barra desemiconductor de tipo N (ó P) en la que se difunden dos áreas de semiconductor tipo P (ó N), por lo que el FET tendría cuatro terminales, el drenador, que es uno de los extremos de la barra desemiconductor tipo N, el surtidor, que es el otro extremo del mismo, y dos puertas, que serías las dos áreas de semiconductor tipo P difundias en la barra del semiconductor tipo N. Esto es un FET de doblepuerta, aunque normalmente las dos puertas de éste van unidas.
El fet tiene una región N y dos regiones P, por lo que podemos referir las uniones entre estas como diodo puerta-surtidor y diodopuerta-drenador.
Los FETS tienen bastante similitud con los transistores bipolares, por lo que haremos una comparación de los terminales del JFET con los del transistor unipolar.
Transistor bipolarJFET
Emisor Surtidor
Base Puerta
Colector Drenador
Debido a estas similitudes, muchas de las fórmulas del JFET son parecidas o iguales a las del transitor bipolar. Para ello cambiaremos lossubíndices entre el transistor bipolar y el JFET.
Transistor bipolar JFET
E S (SURTIDOR)
B G (PUERTA)
C D (DRENADOR)
Polarización del JFET.
En un transistor bipolar, polarizamos...
Se trata de transistores unipolares, es decir , que solo trabajan con un tipo de portadores, al contrario de los transistores estudiados hasta ahora, los cualestrabajaban con dos tipos de portadores, electrones y huecos. Estos transistores sel llaman de efecto de campo porque el control de la corriente se ejerce mediante la influencia de un campo eléctricoexterior.
Estos transistores son de dos tipos:
- FET o JFET (Junction Field Effect Transistor).
- MOST o MOSFET o IGFET (Metal Oxide Semiconductorñ Transistor o Insulated Gate Field EffectTransistor).
Vamos a centrar el contenido de esta práctica en el JFET o FET de unión (Junction Field Effect Transistor)
Composición
El transistor de efecto de campo está compuesto por una barra desemiconductor de tipo N (ó P) en la que se difunden dos áreas de semiconductor tipo P (ó N), por lo que el FET tendría cuatro terminales, el drenador, que es uno de los extremos de la barra desemiconductor tipo N, el surtidor, que es el otro extremo del mismo, y dos puertas, que serías las dos áreas de semiconductor tipo P difundias en la barra del semiconductor tipo N. Esto es un FET de doblepuerta, aunque normalmente las dos puertas de éste van unidas.
El fet tiene una región N y dos regiones P, por lo que podemos referir las uniones entre estas como diodo puerta-surtidor y diodopuerta-drenador.
Los FETS tienen bastante similitud con los transistores bipolares, por lo que haremos una comparación de los terminales del JFET con los del transistor unipolar.
Transistor bipolarJFET
Emisor Surtidor
Base Puerta
Colector Drenador
Debido a estas similitudes, muchas de las fórmulas del JFET son parecidas o iguales a las del transitor bipolar. Para ello cambiaremos lossubíndices entre el transistor bipolar y el JFET.
Transistor bipolar JFET
E S (SURTIDOR)
B G (PUERTA)
C D (DRENADOR)
Polarización del JFET.
En un transistor bipolar, polarizamos...
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