Transistores de potencia bjt

1. El transistor de potencia BJT
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altastensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar
En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, esta esuna característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales.Temperatura de unión
Los transistores de potencia disipan grandes cantidades de potencia en sus uniones entre colector y base. La potencia disipada se convierte en calor, que eleva la temperatura de launión (TJ). Dicha temperatura no debe superar un máximo especificado (TJmáx) que para el silicio es de 150ºC a 200ºC.
El fabricante de un transistor de potencia suele especificar TJmáx, la máximadisipación de potencia a una temperatura ambiente TA0 (que por lo general es de 25ºC), y la resistencia térmica θJA.

Características en estado permanente

La configuración emisor común, es la quegeneralmente se utiliza en aplicaciones de conmutación.
[pic]

En la región de corte, las 2 uniones están polarizadas inversamente.
En la región de saturación, las dos uniones tienen polarizacióndirecta.

Parámetros típicos
Debido a sus grandes dimensiones y elevadas corrientes de operación, los transistores de potencia muestran valores típicos de parámetros que pueden ser muy distintos delos transistores de pequeña señal. Las principales
Diferencias son:
1.- A elevadas corrientes, la relación exponencial iC-vBE es iC=IS·e
2.- β es pequeña, típicamente entre 30 y 80, pero puedellegar en algunos
casos a ser de sólo 5.
3.- A elevadas corrientes, rπ se hace muy pequeña y rb se hace significativa.
4.- fT es pequeña debido a sus grandes dimensiones. Dichas dimensiones hacen...