Transistores De Potencia

REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA.
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACION SUPERIOR.
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DE LAS FUERZAS ARMADAS.
UNEFA.
CUMANA, ESTADO SUCRE.

TRANSISTORES FET, JFET, MOSFET Y MESFET.

INTEGRANTE:
ZOILA ANTON
C.I:20.062.867
CUMANA, JULIO DEL 2012.
INTRODUCCION:
los transistores son dispositivos electrónico semiconductor que cumplefunciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Los transistores FET están entre las familias de los transistores el cual, se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Entre los tipos de transistores FET se tiene el JFET que no es másque un dispositivo unipolar, que en su funcionamiento sólo intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal n" y "de canal p".
En el presente trabajo tararemos acerca de los tipos de transistores FET, los cuales entre ellos se encuentran los JFET, MOSFET, MESFET que son los que más resaltaremos; y sus características.




FET (TRANSISTORES DE EFECTO DECAMPO):
El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctricoperpendicular a la trayectoria de la corriente.
El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si.
Los terminales de este tipo de transistorse llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S).
Ver el gráfico:

Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje sepolariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET.
Eltransistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El FET es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la región de rarefacción y causan que varíe el ancho del canal.
CARACTERISTICA DEl FET:
FET: fieldeffect transistor.Transistor de efecto de campo. Esta formado por una barra de material semiconductor de silicio tipo P o N en cuyos extremos se establece un contacto óhmico. También se les conoce como transistores unipolares. En los de canal N de conducción la producen e- en los de canal P hueco.
CARACTERISTICAS COMUNES DE TRANSISTORE:
* Los transistores son dispositivos dotados de tres terminales.
*Dos de los terminales actúan como terminales de entrada (control).
* Dos actúan como terminales de salida.
* Un terminal es común a entrada y salida.
* La potencia consumida en la entrada es menor que la controlada en la salida.
* La tención entre terminales de entrada determina la salida: puede funcionar como fuente de corriente (zona activa), cortocircuito (saturación) ocircuito abierto (corte). En los accionamientos para motores trabajan en conmutación.
TIPOS DE TRANSISTORES FET:
* El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).
* El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n
* El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con una barrera...