Transistores de potencia

Páginas: 7 (1656 palabras) Publicado: 29 de septiembre de 2015
Objetivo
Aprender más a fondo sobre los transistores de potencia y sus aplicaciones.

Procedimiento
Utilizando los libros en formato pdf de Daniel W. Hart y Muhammad Rashid se procedió a buscar la información sobre el tema a investigar, teniendo localizadas las páginas se empezó a leer la información y unirla en un mismo texto para poder tener algo más concreto y bien explicado.
Tomando encuenta que en el principio venia un poco de historia del porque se empezaron a construir estos elementos procedí a poner esa parte de la historia como una introducción a lo que es el tema en general. Después de la historia empecé con lo que es el diodo, el tiristor y el transistor así respectivamente.

1.-Introducción

Los transistores son utilizados como interruptores en los circuitos electrónicos depotencia. Los circuitos de excitación de los transistores se diseñan para que éstos estén completamente saturados (activados) o en corte (desactivados). Los transistores de potencia son de cuatro clases: BJT, MOSFET, IGBT y SlT.




2.-Transistores

Los transistores de potencia tienen características controladas de encendido y apagado. Los transistores, que se utilizan como elementos deconmutación, se operan en la región de saturación, y producen una pequeña caída de voltaje en el estado de encendido. La velocidad de conmutación de los transistores modernos es mucho mayor que la de los tiristores y se emplean frecuentemente en convertidores cd-cd y cd-ca, con diodos conectados en paralelo inverso para proporcionar flujo bidireccional de corriente. Sin embargo, sus especificacionesnominales de voltaje y corriente son menores que Las de los tiristores, y normalmente los transistores se emplean en aplicaciones de baja a mediana potencia. Los transistores de potencia se pueden clasificar, de manera general, en cinco categorías:
1. Transistores bipolares de unión (BJT)
2. Transistores de efecto de campo de metal óxido semiconductor (MOSFET)
3. Transistores de inducción estática (SIT)4. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)
5. COOLMOS





3.-Tipos de transistores

3.1.- BJT
Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. En el caso normal funciona como un interruptor en la configuración de emisor común. Mientras la base de un transistor N PN esté a mayor potencial que el emisor y la corriente de la base tenga el valor suficiente para activarel transistor en la región de saturación, el transistor permanece cerrado, siempre que la unión de colector a emisor tenga la polarización correcta. Los transistores bipolares de alta potencia se suelen usar en convertidores de potencia con frecuencias menores que 10 kHz y se aplican bien en capacidades hasta de 1200 V y 400A. La caída directa de un transistor conductor está en el intervalo de0.5 a 1.5 V. Si se retira el voltaje de activación de la base el transistor permanece en modo de no conducción (o abierto).









3.1.1.-Caracteristicas en estado permanente

Hay tres regiones de operación de un transistor: de corte, activa y de saturación. En la región de corte, el transistor está abierto o apagado, la corriente de base no es suficiente para saturarlo, y las dos uniones estánpolari2adas inversamente. En la región activa, el transistor actúa como un amplificador, en el que la corriente de base se amplifica una ganancia determinada, y el voltaje colector-emisor disminuye al aumentar la corriente de base. La unión colector-base (CBJ) está polarizada inversamente, y la unión colector-emjsor (BEJ) tiene polarización directa.
En la región de saturación, la corriente de basees suficientemente alta como para que el voltaje
colector-emisor sea bajo y el transistor actúa como un interruptor. Las dos uniones (CBJ y BEJ) tienen polarización directa.

3.1.2.- Voltajes de ruptura

Un voltaje de ruptura, o voltaje disruptivo se define como el voltaje absoluto máximo entre dos terminales. Con la tercera terminal abierta, en corto o polarizada en forma directa o inversa. Un...
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