TRANSISTORES DE UNI N DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTORES DE
UNIÓN DE EFECTO
DE CAMPO (JFET).
INTEGRANTES:
VICTOR ÍVAN GARCÍA TAPIA
JOSÉ LUIS BUSTOS ZAPIEN
JUAN MICHAEL VILLAFAÑA ÁLVAREZ

Estructura Básica
Los JFET se clasifican en dosgrupos:
*JFET de canal n
*JFET de canal p

En

donde:

*D = Drenador: (Del inglés Drain). Es el terminal por al
que salen los portadores del dispositivo (los electrones en
el JFET de canal n y los huecosen el de canal p)
*S = Fuente: (Del inglés Source). Es el terminal por el que
entran los portadores.
*G = Puerta: (Del inglés Gate). Es el terminal mediante el
que se controla la corriente deportadores a través del
canal.

Símbolos


Como ya se ha comentado con anterioridad se trata, en cualquier caso,
de dispositivos con tres terminales.



Como podemos observar, la diferencia en el símboloentre ambos tipos
reside en el sentido de la flecha del terminal de puerta (G). En el JFET de
canal n el terminal de puerta se representa con una flecha entrante al
dispositivo, mientras que en el decanal p es saliente.

Para el funcionamiento más habitual, los transistores de
canal n se polarizan aplicando una tensión positiva entre
drenador y fuente (VDS) y una tensión negativa entre puerta
yfuente (VGS). De esta forma, la corriente circulará en el
sentido de drenador a fuente. En el caso del JFET de canal p
la tensión VDS a aplicar debe ser negativa y la tensión VGS
positiva, de esta formala corriente fluirá en el sentido de la
fuente hacia el drenador.

Principio de funcionamiento


El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en
realidad una familiade transistores que se basan en el campo eléctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET
pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia depotencial.



Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se...