transistores fet

TRANSISTOR FET
También conocido como un transistor de efecto de campo, que controla la conductividad de un canal en material semiconductor, estos también pueden utilizarse como resistencias controladas por diferencia potencial. Contiene tres terminales denominadas puerta, drenador y fuente.

FUNCIONAMIENTO:
El transistor fet se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde elvoltaje aplicado a la puerta permita hacer que fluya o no corriente entre el drenador y la fuente. El funcionamiento es de dos tipos, uno denominado canal n y el otro canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión es positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción. Por lo anterior el canal de un fet es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N comouno de tipo P, el drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en caso de fet de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de fet en modo de agotamiento, estos transistores son también conocidos por el método de aislamiento entre el canal y al puerta.

CARACTERISICAS:
- Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta
- No tiene un voltaje deunión cuando se utiliza como conmutador
- Hasta cierto punto es inmune a la radiación
- Es menos ruidoso
- Puede operarse para promocionar una mayor estabilidad térmica.

HISTORIA:
El transistor fet o de efecto de campo fue patentado por primera vez por julius edgar lilienfeld en el año de 1925, posteriormente los dispositivos semiconductores fueron realmente desarrollados mucho después enlos laboratorios Bell, en el año 1947 , cuando este efecto puedo ser observado y explicado.



TRANSISTOR JFET
El Jfet también es un transistor de efecto de campo, que funciona como un dispositivo eléctrico, es un circuito que da unos valores de entrada y reacciona dando igualmente unos de salida.

FUNCIONAMIENTO:
El transistor Jfet es un transistor de efecto de campo, al contrario deltransistor fet, su funcionamiento se basa en las zonas de deplexion que se polariza inversamente, esto quiere decir que cuando se aumenta las tensión del diodo que conduce la compuerta y la fuente la zona de deplexion se hace más grande y por ende hay más dificultades para atravesar el canal ya que cuanto mayor sea la tensión menor es la corriente, Por esto, el Jfet es un dispositivo controlado portensión y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a través del canal creado entre las zonas de deplexión van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente.

CARACTERISTICAS:
- Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar.

- La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal defuente y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente.

- A mayor voltaje más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal drenador al terminal fuente.

- La tensión para la que el canal queda cerrado se llama punch-off y es diferente para cadaJFET.

- Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas características del transistor JFET.

- El transistor fet se polariza de diversas maneras.

HISTORIA:
Desde 1953 se propuso su fabricación por Van Nostrand, 5 años después de que se fabricaron los BJT. Aunque su fabricación no fue posible hasta mediados de los años 80 ya que primero debían ser analizados para darun buen uso.
TRANSISTOR MOSFET
El transistor mosfet al igual que los anteriormente mencionados es un transistor de efecto de efecto de campo su diferencia es que este es utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas, es un común en la industria microelectrónica ya sea, en circuitos análogos o digitales, es también conocido con el nombre transistor de efecto de campo metal oxido...