Transistores Fet

TRABAJO DE ELECTRÓNICA

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
Un transistor de efecto campo (FET) está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por uncollar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), másuna conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

Transistor FET con canal N
* Fundamento de transistores de efecto de campo:
Los transistores tienen tres zonas semiconductoras juntas dopadasalternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representación es:
Modelo de transistor FET canal n | |
Modelo de transistor FET canal p | |
Las unionesPuerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequeña y laamplitud de la zona de deplexión afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión depende de la tensión inversa (tensión de puerta).
* Zonas de funcionamiento deltransistor de efecto de campo (FET):

* ZONA ÓHMICA o LINEAL: en esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricantees la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.

* ZONA DE SATURACIÓN: en esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuentede corriente gobernada por VGS.

* ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar suspapeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata de un dispositivo simétrico).
* Preguntas sobre el Tema:
1. ¿Qué es el valor de VGS de la variable dependiente?...