Transistores HBT Y HEMT

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Transistores
HBT Y HEMT
JORGE CLEMENTE MARTÍNEZ
FERNANDO VILCHIS PAREDES
ANDREA MALO GUADARRAMA
SANTIAGO RUBIO GUADARRAMA
KATHERINE MONSALVO LEYVA
JESÚS TAPIA SEGURA

Transistor HBT
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Eltransistor bipolar de heterounión ( HBT ) es un tipo de transistor de unión
bipolar ( BJT ), que utiliza materiales semiconductores diferentes para las regiones de
emisor y la base, la creación de unaheterounión .

El HBT mejora en el BJT en que puede manejar señales de frecuencias muy altas, de
hasta varios cientos de GHz . Se utiliza comúnmente en los circuitos ultrarrápidos
modernas , la mayoríade radiofrecuencia (RF ) de sistemas, y en aplicaciones que
requieren una alta eficiencia de potencia , tales como amplificadores de potencia de RF
en los teléfonos celulares. La idea de emplear unaheterounión es tan antigua como el
BJT convencional , que se remonta a una patente de 1951.

Transistor HBT
(materiales)


La principal diferencia entre el BJT y HBT es en el uso de diferentesmateriales
semiconductores para la unión emisor-base y la unión base-colector, la creación de
una heterounión. El efecto es limitar la inyección de orificios de la base en la región
de emisor, ya que labarrera de potencial en la banda de valencia es mayor que en
la banda de conducción. A diferencia de la tecnología BJT, esto permite una alta
densidad de dopaje que se utilizará en la base, la reducciónde la resistencia de
base mientras se mantiene la ganancia. La eficiencia de la heterounión se mide por
el factor Kroemer, el nombre de Herbert Kroemer que fue galardonado con el
Premio Nobel por sutrabajo en este campo en 2000 en la Universidad de California
en Santa Bárbara.

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Los materiales utilizados para el sustrato incluyen silicio, arseniuro de galio, fosfuro
de indio y, mientras que lasaleaciones de silicio / silicio-germanio, arseniuro de
galio aluminio / arseniuro de galio, fosfuro de indio y / indio arseniuro de galio se
utilizan para las capas epitaxiales. Semiconductores de...