Transistores jfet

Transistores JFET

TRANSISTOR JFET

Alicia Delgado Sucilla

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Índice
• • • • • • • • • Bibliografía. Transistor: Definición. Transistor: Componentes. Transistor: Funcionamiento. Transistor: Tipos. Transistor: Regiones Operativas. Transistor JFET: Definición. Transistor JFET: Tipos. Transistor JFET: Regiones Operativas.

TRANSISTOR JFET

Alicia Delgado Sucilla

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Bibliografía:• www.cienciasmisticas.com.
• www.es.wikipedia.org. • www.profesormolina1.webcindario.com • Tecnología Electrónica: Dispositivos Analógicos Fundamentales. Autor: Carlos A. García Vázquez.

TRANSISTOR JFET

Alicia Delgado Sucilla

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Transistor: Definición
• Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el pasode la corriente a través de sus terminales.
Un transistor de unión bipolar, que es el transistor común, está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones: * Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. •

* Base: la intermedia, muyestrecha, que separa el emisor del colector.
* Colector: de extensión mucho mayor.

TRANSISTOR JFET

Alicia Delgado Sucilla

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Transistor: Componentes
• Un transistor bipolar de unión consiste en tres Regiones semiconductoras dopadas: la región del Emisor, la región de la Base y la región del Colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, ytipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda. El transistor bipolar de unión, a diferencia de otros transistores, NO es usualmente un dispositivo Simétrico. Esto significa que intercambiando el Colector y el Emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo Activo y comience afuncionar en modo Inverso. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de Dopaje entre el Emisor y el Colector. El Emisor está altamente dopado, mientras que el Colector está ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión Colector-Base antes de que esta colapse. La razón por la cual el Emisor está altamente dopado es para aumentar laeficiencia de inyección de Portadores del Emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con aquellos inyectados por la base. Para una gran Ganancia de Corriente, la mayoría de los portadores inyectados en la unión Base-Emisor deben provenir del Emisor. TRANSISTOR JFET Alicia Delgado Sucilla 5

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Transistor: Funcionamiento
• En una configuración normal, la uniónEmisor-Base se polariza en Directa y la unión BaseColector en Inversa.

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En un transistor NPN, por ejemplo, puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una operación típica, la unión Base-Emisor está polarizada en Directa y la unión Base-Colector está polarizada en Inversa.
Cuando en un transistor NPN una tensión positiva es aplicada en la unión Base-Emisor, elequilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada son arrancados, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la Región de la Base. Estos electrones "vagan" a través de la Base, desde la región de alta concentración cercana al Emisor hasta la región de baja concentración cercana al Colector. Estos electrones en la base sonllamados Portadores Minoritarios debido a que la Base está dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la Base. La Región de la Base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a través de ésta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario, para minimizar el porcentaje de portadores que se...