Transistores jfet
Páginas: 4 (974 palabras)
Publicado: 14 de septiembre de 2012
TRANSISTORES JFET Y MOSFET
FET (TRANSISTOR CON EFECTO DE CAMPO)
(Field-Effect Transistor) El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar Heil en1934, pero los dispositivos semiconductores fueron desarrollados en la práctica mucho después, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo ser observado y explicado. El equipodetrás de estos experimentos fue galardonado con el Premio Nobel de Física. Desde 1953 se propuso su fabricación por Van Nostrand (5 años después de los BJT). Aunque su fabricación no fue posible hastamediados de los años 80's.
El transistor de efecto campo es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un materialsemiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
También son mas estables a la temperatura y en general son más pequeños que los BJT lo que los haceparticularmente útiles en chips de circuitos integrados.
Tienen tres terminales, denominadas:
* Puerta (Gate).
* Drenador (Drain).
* Fuente (Source).
Al igual que los transistores BJT.Los transistores FET son de dos tipos y sus simbolos correspondientes en electrónica son:
Transistores con efecto de campo |
| |
Canal P | Canal N |
JFET (TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPODE JUNTURA O UNION):
En ingles (Junction Field-Effect Transistor), El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento sólo intervienen los portadores mayoritarios.
Según unos valoreseléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida.
Al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre losterminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas:...
FET (TRANSISTOR CON EFECTO DE CAMPO)
(Field-Effect Transistor) El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar Heil en1934, pero los dispositivos semiconductores fueron desarrollados en la práctica mucho después, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo ser observado y explicado. El equipodetrás de estos experimentos fue galardonado con el Premio Nobel de Física. Desde 1953 se propuso su fabricación por Van Nostrand (5 años después de los BJT). Aunque su fabricación no fue posible hastamediados de los años 80's.
El transistor de efecto campo es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un materialsemiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
También son mas estables a la temperatura y en general son más pequeños que los BJT lo que los haceparticularmente útiles en chips de circuitos integrados.
Tienen tres terminales, denominadas:
* Puerta (Gate).
* Drenador (Drain).
* Fuente (Source).
Al igual que los transistores BJT.Los transistores FET son de dos tipos y sus simbolos correspondientes en electrónica son:
Transistores con efecto de campo |
| |
Canal P | Canal N |
JFET (TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPODE JUNTURA O UNION):
En ingles (Junction Field-Effect Transistor), El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento sólo intervienen los portadores mayoritarios.
Según unos valoreseléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida.
Al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre losterminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas:...
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