Transistores scr

En el siguiente documental hablaremos de los tiristores que son semiconductores que trabajan en conmutación teniendo en común una estructura de cuatro capas semiconductoras en una secuencia P-N-P-Nla cual presenta dos estados OF y On. Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCR, TRIAC y GTO.
SCR
Está formado por cuatro caspas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N,teniendo tres terminales, anado (A) y cátodo (K) por los cuales circulan la corriente principal y la puerta (G) que, cuando se inyecta una corriente hace que se establezca una corriente en sentidoanodo-catodo.
A continuación veremos las zonas del SCR:
Zona de bloqueo inverso (vAK0 sin disparo).- El SCR se comporta como un circuito abierto hasta alcanzar la tensión de ruptura directa.
Zona deconducción (vAK>0 con disparo).- El SCR se comporta como un interruptor cerrado, si una vez ha ocurrida el disparo, por el dispositivo circula una corriente superior a la de de enclavamiento. Una vezen conducción se mantendrá en dicho estado si el valor de la corriente ánodo cátodo es superior a la corriente de mantenimiento.
Activación o disparo y bloqueo de los SCR
 Disparo por tensiónexcesiva.- El aumento de la tensión V Ak lleva a una expansión de la región de transición tanto como para el interior de la capa de la puerta como para la capa N adyacente.
 Disparo por impulso de puerta Disparo por derivada de tensión.- Se le aplica un escalón de tensión positiva entre ánodo y cátodo con tiempo de subida muy corto, del orden de microsegundos los portadores sufren un desplazamientoinfinitesimal para hacer frente a la tensión exterior aplicada.
 Disparo por temperatura.- A las temperaturas, la corriente de fuga en una unió P-N inversa polarizada aproximadamente se duplica conel aumente de 8o c. Así el aumento de temperatura puede llevar a una corriente a través de J2 suficiente para llevar al SCR al estado de conducción.
 Disparo por luz.- La acción combinada de la...