Transistores
Páginas: 11 (2509 palabras)
Publicado: 2 de noviembre de 2010
EL TRANSISTOR (ESTUDIO DEL COMPONENTE)
INTRODUCCION:
De la misma forma que el diodo semiconductor significo un gran avance frente a los componentes a los que sustituyo funcionalmente, el transistor (dispositivo semiconductor también) no solo amplia los campos de la aplicación de la electrónica de su época sino que supone el inicio de un evolución vertiginosa que partiendo de los años 50(momento de su invención por Shokley, Bardeen y Brattain ), llega a los actuales circuitos integrados y microprocesadores y deja adivinar la conversión de la ciencia ficción en realidad.
Como resumen de sus aplicaciones podemos decir, sin riesgo apreciable de error, que se encuentra presente en todos los sistemas electrónicos discretos he integrados que realicen cualquier tratamiento de señales.Existen dos grandes familias de transistores que son:
Transistores unipolares
Transistores bipolares
Esta clasificación se basa en el tipo de portadores de carga (electrones y huecos) que intervienen en su proceso de conducción.
El primer transistor descubierto fue el bipolar y, en esta practica, iniciamos su estudio, tratando descubrir sus peculiaridades y funcionamiento.DESCRIPCION BASICA:
Es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de la señal de entrada esta variación de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito en que se encuentre conectado.
De dicho comportamiento como resistencia variable se deriva su nombre del ingles TRANsfer-reSISTOR.
Un transistor de unión bipolar es un cristalsemiconductor en el que una zona tipo Po N esta entre medias de otras dos tipo N o P. En el primer caso el transistor el del tipo N-P-N y en el segundo P-N-P. El conjunto así formado se encierra herméticamente en una capsula metálica o de plástico. Presenta al exterior tres terminales de conexión que parten de cada una de las regiones semiconductoras.
En la Figura se representa la estructura y elsímbolo esquemático correspondiente a cada tipo.
[pic]
Observando la misma figura nos podemos hacer una idea de la gomería y naturaleza del componente.
El emisor esta fuertemente dopado y su misión es inyectar portadores en la base.
La base que esta ligeramente impurificada es muy delgada (algunas micras), siendo atravesada por la mayor parte de los portadores que abandonan elemisor y se dirigen hacia el colector.
El colector tiene una impurificación media y recoge los portadores liberado por el emisor que no son recogidos por la base. Es mayor que ninguna de las otras regiones y disipa mas calor que ninguna de ellas.
Con un poco de imaginación (dividiendo la base en dos) nos podemos encontrar con la siguiente figura:
Esto nos sirve para apreciar la presencia dedos uniones PN, existiendo por lo tanto dos diodos (técnicamente hablando) el diodo base-emisor o simplemente diodo emisor y, el diodo base-colector o diodo colector.
De la misma forma que existen diodos de silicio y de germanio hay transistores de ambos materiales. Mientras no se diga lo contrario haremos referencia implícitamente a los transistores de silicio que conservan las mismasventajas que presentaban los diodos de silicio frente a los de germanio. De igual forma realizaremos el estudio con transistores NPN, extensivo a transistores PNP, teniendo presente que ene estos los portadores mayoritarios son los huecos y ello implica el cambio de sentido de la corriente y de las polaridades de las tensiones.
Se debe abandonar la posible idea de construir un transistor a partirde la conexión de dos diodos, pues si bien se consiguen dos uniones PN su comportamiento es radicalmente distinto debido sobre todo a la diferente geometría y mas concretamente a las dimensiones de la base y a los diferentes niveles de dopado en cada región del transistor.
SIMIL HIDRAULICO:
Si estudiamos un transistor NPN, podemos efectuar un símil hidráulico del mismo, donde la corriente...
INTRODUCCION:
De la misma forma que el diodo semiconductor significo un gran avance frente a los componentes a los que sustituyo funcionalmente, el transistor (dispositivo semiconductor también) no solo amplia los campos de la aplicación de la electrónica de su época sino que supone el inicio de un evolución vertiginosa que partiendo de los años 50(momento de su invención por Shokley, Bardeen y Brattain ), llega a los actuales circuitos integrados y microprocesadores y deja adivinar la conversión de la ciencia ficción en realidad.
Como resumen de sus aplicaciones podemos decir, sin riesgo apreciable de error, que se encuentra presente en todos los sistemas electrónicos discretos he integrados que realicen cualquier tratamiento de señales.Existen dos grandes familias de transistores que son:
Transistores unipolares
Transistores bipolares
Esta clasificación se basa en el tipo de portadores de carga (electrones y huecos) que intervienen en su proceso de conducción.
El primer transistor descubierto fue el bipolar y, en esta practica, iniciamos su estudio, tratando descubrir sus peculiaridades y funcionamiento.DESCRIPCION BASICA:
Es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de la señal de entrada esta variación de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito en que se encuentre conectado.
De dicho comportamiento como resistencia variable se deriva su nombre del ingles TRANsfer-reSISTOR.
Un transistor de unión bipolar es un cristalsemiconductor en el que una zona tipo Po N esta entre medias de otras dos tipo N o P. En el primer caso el transistor el del tipo N-P-N y en el segundo P-N-P. El conjunto así formado se encierra herméticamente en una capsula metálica o de plástico. Presenta al exterior tres terminales de conexión que parten de cada una de las regiones semiconductoras.
En la Figura se representa la estructura y elsímbolo esquemático correspondiente a cada tipo.
[pic]
Observando la misma figura nos podemos hacer una idea de la gomería y naturaleza del componente.
El emisor esta fuertemente dopado y su misión es inyectar portadores en la base.
La base que esta ligeramente impurificada es muy delgada (algunas micras), siendo atravesada por la mayor parte de los portadores que abandonan elemisor y se dirigen hacia el colector.
El colector tiene una impurificación media y recoge los portadores liberado por el emisor que no son recogidos por la base. Es mayor que ninguna de las otras regiones y disipa mas calor que ninguna de ellas.
Con un poco de imaginación (dividiendo la base en dos) nos podemos encontrar con la siguiente figura:
Esto nos sirve para apreciar la presencia dedos uniones PN, existiendo por lo tanto dos diodos (técnicamente hablando) el diodo base-emisor o simplemente diodo emisor y, el diodo base-colector o diodo colector.
De la misma forma que existen diodos de silicio y de germanio hay transistores de ambos materiales. Mientras no se diga lo contrario haremos referencia implícitamente a los transistores de silicio que conservan las mismasventajas que presentaban los diodos de silicio frente a los de germanio. De igual forma realizaremos el estudio con transistores NPN, extensivo a transistores PNP, teniendo presente que ene estos los portadores mayoritarios son los huecos y ello implica el cambio de sentido de la corriente y de las polaridades de las tensiones.
Se debe abandonar la posible idea de construir un transistor a partirde la conexión de dos diodos, pues si bien se consiguen dos uniones PN su comportamiento es radicalmente distinto debido sobre todo a la diferente geometría y mas concretamente a las dimensiones de la base y a los diferentes niveles de dopado en cada región del transistor.
SIMIL HIDRAULICO:
Si estudiamos un transistor NPN, podemos efectuar un símil hidráulico del mismo, donde la corriente...
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