Transistores
Según la posición del punto Q en la recta de carga, se establecen las tres zonas de funcionamiento del transistor, con unascaracterísticas diferenciadas.
Estas zonas o regiones de acuerdo a lo anterior son:
- Zona de saturación:
Corresponde a un punto Q con una IC elevada(depende de la RC) y un voltaje VCE muy pequeño no menor a un valor denominado de saturación VCEsat.
Los valores típicos de VCEsat son del orden de0,3v.
Cuando el transistor esta saturado, se puede comparar a un interruptor cerrado entre colector y emisor.
transistor en saturación
- Zonade corte:
Corresponde a un punto Q con una IC prácticamente nula y un voltaje VCE elevado. Si hacemos nula la IB, la IC=ICEO, es decir tendrá unvalor muy pequeño, y por lo tanto la c.d.t. en RC será mínima con lo que VCE=VCC.
El transistor en corte se puede comparar con un interruptor abiertoentre colector y emisor.
La potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturación es mínima, ya que uno de los coeficientes en amboscasos es prácticamente nulo.
Transistor en corte
- Zona activa:
Es una amplia región de trabajo comprendida entre corte y saturación, conunos valores intermedios tanto de IC como de VCE.
El transistor trabajando en la zona activa se suele utilizar en la electrónica de lascomunicaciones.
La potencia disipada ahora es mayor, ya que ambos términos tienen un valor intermedio.
El transistor se comporta como un interruptor abierto
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