Transistores
Páginas: 6 (1259 palabras)
Publicado: 31 de mayo de 2011
Transistor
Dispositivo electrónico constituido por un pequeño bloque de materia semiconductora, que cuenta con tres electrodos, emisor, colector y base, y sirve para rectificar y amplificar los impulsos eléctricos.
El transistor cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia detransferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario.
Transistores NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a quela movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
Laflecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
El símbolo de un transistor NPN es el siguiente:
Transistores PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de lasdiferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo dela fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
El símbolo deun transistor PNP es el siguiente:
Estructura de los transistores NPN y PNP
Los modelos físicos de los transistores PNP y NPN se muestran en la siguiente figura. La zona central se denomina "Base", mientras que las zonas externas se denominan respectivamente "Emisor" y "Colector".
El funcionamiento de los transistores se basa en la posibilidad de controlar la corriente que fluye entreColector y Emisor a través de la aplicación de una corriente en la base B, lo cual se obtiene polarizando directamente la unión base-emisor e inversamente la unión base- colector.
En ausencia de tensiones de polarización, las barreras de potencial existentes se muestran en las figuras.
Transistores FET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad unafamilia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Los transistores de efecto de campo, conocidos generalmente como TEC ( o FET por sus siglas en ingles ), son un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en formade electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensión entre la compuerta y la fuente.
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de...
Dispositivo electrónico constituido por un pequeño bloque de materia semiconductora, que cuenta con tres electrodos, emisor, colector y base, y sirve para rectificar y amplificar los impulsos eléctricos.
El transistor cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia detransferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario.
Transistores NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a quela movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
Laflecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
El símbolo de un transistor NPN es el siguiente:
Transistores PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de lasdiferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo dela fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
El símbolo deun transistor PNP es el siguiente:
Estructura de los transistores NPN y PNP
Los modelos físicos de los transistores PNP y NPN se muestran en la siguiente figura. La zona central se denomina "Base", mientras que las zonas externas se denominan respectivamente "Emisor" y "Colector".
El funcionamiento de los transistores se basa en la posibilidad de controlar la corriente que fluye entreColector y Emisor a través de la aplicación de una corriente en la base B, lo cual se obtiene polarizando directamente la unión base-emisor e inversamente la unión base- colector.
En ausencia de tensiones de polarización, las barreras de potencial existentes se muestran en las figuras.
Transistores FET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad unafamilia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Los transistores de efecto de campo, conocidos generalmente como TEC ( o FET por sus siglas en ingles ), son un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en formade electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensión entre la compuerta y la fuente.
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de...
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