Transistores
Páginas: 11 (2700 palabras)
Publicado: 7 de junio de 2011
REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
UNIVERSIDAD BICENTENARIA DE ARAGUA
VICERRECTORADO ACADEMICO
MARACAY EDO. ARAGUA
LABORATORIO
ELECTRONICA II
INTEGRANTES:
MIGUEL ANGEL PEÑA ARIAS
C.I: 17.366.071
TRANSISTOR BJT
Transistor bipolar
Los transistores bipolares son de tipo NPN o PNP, ya que están formados por dos semiconductores contaminados con impurezas de diferente polaridad. Eltransistor bipolar está formado por una unión PN y por otra NP, característica que hace que un semiconductor de determinado tipo se encuentre entre dos de tipo opuesto al primero, como se muestra en la figura 1. Lo que se obtiene con esta configuración es una sección que proporciona cargas (de huecos o de electrones) que son captadas por otra sección a través de la sección media. El electrodo queproporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La base es la parte de en medio y forma las dos uniones, una con el colector y otra con el emisor. Además, la base controla la corriente en el colector. Este tipo de transistores recibe el nombre de transistores de unión.
Figura 1. Símbolos y diagramas de polarización para transistores de unión.
a-) PNP. b-) NPN.EMISOR.
La unión base-emisor se polariza en forma directa. Los valores del voltaje de polarización más comunes son 0.3 v para el Ge y 0.7 v para el Si. El emisor P del transistor PNP de la figura 1a inyecta huecos a su unión con la base. La dirección de la corriente de huecos en el emisor está señalada por la flecha que aparece en su símbolo. Cuando la flecha apunta hacia la base, la unión entre elemisor y ella es del tipo PN.
En el transistor de la figura 1b, el emisor inyecta electrones en la base. Por consiguiente, para un emisor de tipo N el símbolo es una flecha que señala en dirección contraria a la base y opuesta al flujo de electrones. En los símbolos para transistores, el emisor es el único que tiene una flecha. Cuando ésta apunta hacia la base, el transistor es PNP; en casocontrario, el transistor es NPN. En la práctica, todos los transistores pequeños utilizados en amplificadores de audio y RF son de tipo NPN, fabricados con silicio y con voltajes de polarización directa entre la base y el emisor de 0.6 v.
COLECTOR.
La función de este electrodo es remover las cargas de su unión con la base. En la figura 1a, el transistor PNP tiene un transistor P que recibehuecos. En el transistor NPN de la figura 1b, el colector N recibe electrones.
La unión base-colector siempre tiene un voltaje con polarización inversa. Los valores más frecuentes de este voltaje varían de 4 a 100 v. La polarización inversa impide el flujo de portadores mayoritarios del colector hacia la base. Sin embargo, en la dirección opuesta, de la base hacia el colector, el voltaje en esteúltimo atrae las cargas en la base que proporciona el emisor.
BASE.
La base separa el colector del emisor. La unión base-emisor tiene polarización directa y, por tanto, la resistencia del circuito del emisor es muy baja. La unión base-colector tiene polarización inversa y, por consiguiente, la resistencia del circuito del colector es muy grande.
CORRIENTE DE COLECTOR.
El requisito finalpara que el transistor funcione es que el circuito base-emisor controle la corriente del colector. El emisor tiene una contaminación considerable de impurezas con el fin de proporcionar portadores mayoritarios. Sin embargo, la base tiene una cantidad pequeña de impurezas y es muy delgada, lo cual permite que las cargas puedan moverse hacia la unión con el colector.
El voltaje en el colector esrelativamente grande. Como consecuencia de estos factores, prácticamente todas las cargas inyectadas a la base por el emisor circulan por el circuito del colector.
Es común que entre un 98% y 99% de las cargas inyectadas por el emisor formen la corriente del colector Ic. El restante 1% y 2% pasa a formar la corriente de base Ib.
Por ejemplo, considérense las corrientes en un transistor NPN. El...
UNIVERSIDAD BICENTENARIA DE ARAGUA
VICERRECTORADO ACADEMICO
MARACAY EDO. ARAGUA
LABORATORIO
ELECTRONICA II
INTEGRANTES:
MIGUEL ANGEL PEÑA ARIAS
C.I: 17.366.071
TRANSISTOR BJT
Transistor bipolar
Los transistores bipolares son de tipo NPN o PNP, ya que están formados por dos semiconductores contaminados con impurezas de diferente polaridad. Eltransistor bipolar está formado por una unión PN y por otra NP, característica que hace que un semiconductor de determinado tipo se encuentre entre dos de tipo opuesto al primero, como se muestra en la figura 1. Lo que se obtiene con esta configuración es una sección que proporciona cargas (de huecos o de electrones) que son captadas por otra sección a través de la sección media. El electrodo queproporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La base es la parte de en medio y forma las dos uniones, una con el colector y otra con el emisor. Además, la base controla la corriente en el colector. Este tipo de transistores recibe el nombre de transistores de unión.
Figura 1. Símbolos y diagramas de polarización para transistores de unión.
a-) PNP. b-) NPN.EMISOR.
La unión base-emisor se polariza en forma directa. Los valores del voltaje de polarización más comunes son 0.3 v para el Ge y 0.7 v para el Si. El emisor P del transistor PNP de la figura 1a inyecta huecos a su unión con la base. La dirección de la corriente de huecos en el emisor está señalada por la flecha que aparece en su símbolo. Cuando la flecha apunta hacia la base, la unión entre elemisor y ella es del tipo PN.
En el transistor de la figura 1b, el emisor inyecta electrones en la base. Por consiguiente, para un emisor de tipo N el símbolo es una flecha que señala en dirección contraria a la base y opuesta al flujo de electrones. En los símbolos para transistores, el emisor es el único que tiene una flecha. Cuando ésta apunta hacia la base, el transistor es PNP; en casocontrario, el transistor es NPN. En la práctica, todos los transistores pequeños utilizados en amplificadores de audio y RF son de tipo NPN, fabricados con silicio y con voltajes de polarización directa entre la base y el emisor de 0.6 v.
COLECTOR.
La función de este electrodo es remover las cargas de su unión con la base. En la figura 1a, el transistor PNP tiene un transistor P que recibehuecos. En el transistor NPN de la figura 1b, el colector N recibe electrones.
La unión base-colector siempre tiene un voltaje con polarización inversa. Los valores más frecuentes de este voltaje varían de 4 a 100 v. La polarización inversa impide el flujo de portadores mayoritarios del colector hacia la base. Sin embargo, en la dirección opuesta, de la base hacia el colector, el voltaje en esteúltimo atrae las cargas en la base que proporciona el emisor.
BASE.
La base separa el colector del emisor. La unión base-emisor tiene polarización directa y, por tanto, la resistencia del circuito del emisor es muy baja. La unión base-colector tiene polarización inversa y, por consiguiente, la resistencia del circuito del colector es muy grande.
CORRIENTE DE COLECTOR.
El requisito finalpara que el transistor funcione es que el circuito base-emisor controle la corriente del colector. El emisor tiene una contaminación considerable de impurezas con el fin de proporcionar portadores mayoritarios. Sin embargo, la base tiene una cantidad pequeña de impurezas y es muy delgada, lo cual permite que las cargas puedan moverse hacia la unión con el colector.
El voltaje en el colector esrelativamente grande. Como consecuencia de estos factores, prácticamente todas las cargas inyectadas a la base por el emisor circulan por el circuito del colector.
Es común que entre un 98% y 99% de las cargas inyectadas por el emisor formen la corriente del colector Ic. El restante 1% y 2% pasa a formar la corriente de base Ib.
Por ejemplo, considérense las corrientes en un transistor NPN. El...
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