TRANSISTORES

INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR AERONÁUTICO
CARRERA DE ELECTRÓNICA MENCIÓN INSTRUMENTACIÓN Y AVIÓNICA
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
TEMA: CIRCUITO DE POLARIZACIÓN DE UN TRANSISTOR BIPOLARObjetivos
Analizar las tres regiones de funcionamiento del transistor.
Obtener de la características de entrada y salida de un transistor BJT
Medir los voltajes y corrientes de polarización de lostransistores
Medir el voltaje y salida del circuito amplificador y calcular la ganancia


Información teórica
Un transistor bipolar BJT está formado por tres capas semiconductoras alternadas entre sí,en cada una de las cuales se establecen contactos metálicos:
Cuando las tensiones aplicadas a la base y al colector son negativas en el transistor PNP o positivas en los transistores NPN, eltransistor está trabajando en la zona activa. En estas condiciones de polarización, al estar la unión base-emisor polarizado directamente y la unión base-colector inversamente, se cumple que la corriente decolector IC, prácticamente no depende de la tensión aplicada al colector y es proporcional a la corriente IB.
Si la corriente de base no es suficientemente alta, el transistor no conducirá (Ic=0), eslo que se llama región de corte, mientras que para pequeñas tensiones aplicadas al colector se encuentra en la región de saturación.

PROCEDIMIENTO
En esta práctica se utilizará el transistor2N3904, de tipo NPN, cuyas características de salida, se muestran en la siguiente figura:

1. Arme el circuito de la siguiente figura:

(Se utilizaron resistencias de RB = 10K y RC = 330Ω)
2.Utilizando dos generadores de funciones, se puede observar la curva de las características de salida del transistor. Dado que el canal A del osciloscopio no se puede invertir, éstas se mostrarán como si VCE,fuese negativo. Grafique las curvas obtenidas.


3. Arme el circuito de la siguiente figura:

(Se utilizó un Vcc = 15V)
4. Mida:
a. VBE = 0,7V
b. IC = 20,44mA
c. IE = 20,3mA
d. VCE = 8,2V...