Transistores

I. -TEMA:
Transistores bipolares.
II.- OBJETIVOS:
* Determinar experimentalmente y representar la característica corriente-tensión de un capacitor.
* Conocer el uso correspondiente eidentificar las partes de un transistor.
* Medir los efectos de voltaje y corriente por el transistor bipolar.
III.- MATERIALES Y EQUIPO:
* Transistor 2N3904.
* Resistencias.
*Potenciómetro.
* Didos leds.
* Cables.
* Multímetro.
* Fuente regulable.
* Protoboard.
IV.- FUNDAMENTO TEÓRICO:
TRANSISTOR BIPOLAR.
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Transistor NPN |Estructura de un transistor NPN | Transistor PNP | Estructura de un transistor PNP |
El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico, está formado por dos uniones pnen contraposición, físicamente está constituido por tres regiones semiconductoras emisor, base y colector siendo la región de base muy delgada (< 1μm).
La forma normal que opera un transistor esen la zona directa.
En esta zona, los sentidos de las corrientes y tensiones en los terminales del transistor se muestran en las figuras mostradas a continuación:
IE = IB + IC
VCE=VCB+VBE Entransistores NPN.
VEC=VBE+VBC En transistores PNP.

TIPOS DE TRANSISTOR
* Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio,Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
La zona N con elementos donantes deelectrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siemprecorresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector.
* Transistor de unión unipolar:
Fue el primer transistor de efecto de campo. Lo forma una barra de material...