Transistores

INTRODUCCIÓN
La Electrónica es la ciencia que estudia el control del flujo de electrones en circuitos que van a desempeñar muchas funciones por medio de componentes como diodos, transistores, resistores, inductores, capacitores y otros dispositivos.
La era electrónica se introdujo con el bulbo. A la llegada del transistor se realizaron grandes cambios, principalmente en las necesidades depotencia y tamaño de los componentes y circuitos. A continuación veremos los Transistores Unipolares (FET´S - MOSFET´S).
Estos transistores pueden ser empleados en los circuitos en una disposición similar a la de los bipolares, es decir, en fuente común, aunque la primera y la última son las más utilizadas en la practica.
En época reciente ha aparecido en el mercado una nueva tecnología defabricación de transistores MOS que reciben el nombre de VMOS a causa de la estructura geométrica de sus diferentes regiones semiconductoras.
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Los transistores de efecto de campo, conocidos generalmente como TEC ( o FET por sus siglas en ingles ), son un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en forma de electrones como de huecos. En un FET de canal n, lacorriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensión entre la compuerta y la fuente.

Transistores de efecto de Campo (TEC) con sussímbolos correspondientes
Los símbolos ilustrados se refieren al transistor de efecto de campo de juntura. Los TEC a y b han sido indicados como tipos N y P de acuerdo al empleo de losmateriales tipo N y P en la fabricación de estos dispositivos.
El TEC tiene tres elementos. El terminal ánodo se conoce como el drenaje y el terminal cátodo se conoce como fuente. El drenaje equivale al colector. La fuente equivale al emisor de un transistor bipolar. La puerta equivale a la base.
Además existen otros TEC que utilizan metales y materiales óxidos, dando como un resultado un TEC quese conocen como Transistor de Efecto de Campo de óxido de metal y semiconductor, que se abrevia TELCOMS ( o MOSFET por sus iniciales en y ingles ). Otro avance en el TEC es un dispositivo con dos terminales, llamados puertas frontal y puerta trasera, este dispositivo es el TEC tetrodo. En la siguiente figura se muestran los símbolos de estas modificaciones del TEC de juntura. En los símbolos paraestos dispositivos, la D significa drenaje, la P = puerta, la F = fuente.
Tipos :
se consideran tres tipos principales de FET:
El primero de ellos, el JFET, ya no se trata de una combinación tan sencilla entre los semiconductores como en el caso de los transistores N-P-N, P-N-P. Ahora la forma de obtenerlos es algo más rebuscada. Sin embargo, sus propiedades hacen que merezca la pena suconstrucción, ya que son utilizados en gran medida por los fabricantes de circuitos electrónicos.
A su vez existen dos tipos de transistores JFET. La razón es sencilla, si tomamos uno de ellos y cambiamos los tipos de semiconductores, es decir, donde hay semiconductores de tipo P ponemos semiconductores de tipo N y viceversa, obtenemos otro transistor JFET pero de características distintas.
Así pues,para distingirlos, llamamos FET de canal p al primero y FET de canal n al segundo. Veremos cómo las propiedades de ambos no sólo son distintas sino que son más bien opuestas.
Para aplicar su funcionamiento hay que tener en cuenta que tenemos dos tipos distintos de voltajes. Esto es debido a que el FET consta de tres semiconductores unidos y por tanto existen dos zonas de unión entre ellos. Asípues, vamos a considerar la diferencia de potencial entre drenaje y fuente a la que llamaremos Vds, y la diferencia de potencial entre puerta y fuente la cual estará representada por Vgs.
Estudiar las características de un transistor consta en “jugar” con las dos tensiones de que disponemos, aumentándolas, disminuyéndolas y observando qué pasa con la corriente que lo atraviesa.
Para estudiar su...