Transistores

Transistor UJT
Aplicaciones
Se utiliza en timers y osciladores, su uso más común es el de la elaboración de osciladores de relajación.
Un oscilador es un dispositivo capaz de generar señales de corriente alterna partiendo de corriente continua. Está constituido básicamente por uno o más elementos activos, como pueden ser transistores, red pasiva resistencia-condensador, bobina, condensador,etc.
Gráfica

Voltaje pico= es el voltaje necesario para el correcto disparo del dispositivo.
Intensidad Pico= la intensidad necesaria para el disparo del UJT.
Voltaje valle= Límite en el que, por debajo de este valor, el dispositivo se apaga.
Intensidad valle= Límite en el que, por debajo de este valor, el dispositivo se apaga.

n=RB1/Rbb

(VBB -Vp)/ Ip>=R1>=(VBB -Vv)/ Iv
)Vp= nVBB+Vpn

Parámetros Involucrados

Circuito
Equivalente

Símbolo

Estructura
Básica

Transistor JFET

Aplicaciones
Se utiliza principalmente en electrónica analógica como:
* Resistencias variables de valor gobernable por tensión (variando la anchura del canal).
* Amplificadores de tensión, especialmente en la amplificación inicial de señales de muy baja potencia.
*Control de potencia eléctrica entregada a una carga.

Gráficas

Circuito
Equivalente

Símbolo

Estructura
Básica

* IDSS Intensidad
* VP Voltaje
* VGS: Voltaje de ruptura de la compuerta-fuente.
* Gm: Transconductancia de transferencia directa de fuente común

El funcionamiento de un transistor JFET se basa en la modulación de la conductividad del canal pormedio de la polarización inversa de la unión pn entre la puerta y el canal.
Al encontrarse el canal mucho menos impurificado que la puerta, la zona de deplexión se extenderá prácticamente sólo al canal, de esta forma, la anchura efectiva (sección conductora) del canal será tanto menor cuanto mayor sea la polarización inversa.
La modulación de la anchura de la zona de deplexión, y por tanto delcanal, se realiza a través de dos tensiones:
•VGS: el aumento de la zona de deplexión (estrechamiento del canal) se produce de manera uniforme a lo largo de las puertas.
•VDS: el aumento de la zona de deplexión (estrechamiento del canal) se produce en las proximidades del drenador.

Parámetros Involucrados

Transistor MOSFET
Símbolos

Gráficas

Estructura Básica
Mosfet canal NCircuito Equivalente



Parámetros Involucrados
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
Las áreas de difusión se denominan fuente(source) ydrenador(drain), y el conductor entre ellos es la puerta(gate).
ID(on), VGS(on) , VDS(on) y RDS(on) son valores que el fabricante suministra en un punto de funcionamiento, llamado ON, que normalmente el de máxima conducción del transistor, cuando trabaja como interruptor.








Aplicaciones
El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia.
En la mayoría de los circuitoscon MOSFET, el objetivo es encenderlo tan rápido como sea posible para minimizar las pérdidas por conmutación. Para lograrlo, el circuito manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para incrementar rápidamente el voltaje de gatillo al valor requerido.
UN ejemplo de sus aplicaciones son:
* Resistencia controlada por tensión.
* Circuitos de conmutación depotencia (HEXFET, FREDFET, etc).
* Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta







SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Estructura Básica

Símbolo




Gráficas




Aplicaciones
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como interruptor...