Transistores

EL TRANSISTOR
BIPOLAR O BJT
El Transistor Bipolares un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos que se denominan: Colector (C), Base (B) y Emisor (E).
La palabra Bipolar se debe al hecho que internamente existe una doble circulación de portadores de corriente; electrones y lagunas o agujeros.
CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Los TransistoresBipolares se clasifican en:
1.- POR LA DISPOSICION DE.SUS CAPAS
a.- Transistores PNP.
b.- Transistores NPN.

Figura 1.- Símbolo de los Transistores PNP Y NPN
2.- POR EL MATERIAL SEMICONDUCTOR EMPLEADO
a.- Transistores de Silicio.
b.- Transistores de Germanio.
3.- POR LA DISIPACION DE POTENCIA
a.- Transistores de Baja Potencia (ver figura 2a).
b.- Transistores de Mediana Potencia (verfigura 2b).
c.- Transistores de Alta Potencia (ver figura 2c).

4.- POR LA FRECUENCIA DE TRABAJO
a.- Transistores, de Baja o Audio Frecuencia (AF).
b.- Transistores de Alta o Radio Frecuencia (RF).
POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Para que un Transistor Bipolar funcione adecuadamente es necesario polarizarlo de tal forma que:
a.- La juntura BASE-EMISOR esté polarizada directamente.b.- La juntura COLECTOR-BASE esté polarizada inversamente.
Ejemplo: Para un transistor NPN, la Base debe de tener un voltaje positivo con respecto al Emisor y el Colector debe de tener un voltaje también positivo pero, mayor que el de la Base. En el caso de un transistor PNP ocurre todo lo contrario.
CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores tienen un código de identficaci6nque especifica la función que cumple y/o su fabricación.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: europeos, japoneses y americanos.
CODIFICACION EUROPEA
PRIMERA LETRA
A: Germanio
B: Silicio
SEGUNDA LETRA
A: Diodo (excepto los diodos Túnel).
C: Transistores de Baja Frecuencia.
D: Transistores de Baja Frecuencia y Alta Potencia.
E: Diodo Túnel de AltaPotencia.
F: Transistor de Alta Frecuencia.
L: Transistor de Alta Frecuencia y Alta Potencia.
P: Foto-semiconductor.
S: Transistor para Corirutaci6n.
U: Transistor para Conmutación de Alta Potencia
Y: Diodos de Potencia.
Z: Diodos Zener.
NUMERO DE SERIE
100 — 999: Para equipos domésticos como grabadoras radio, TV, amplificadores, etc.
10—99 y la letra X, Y o Z Para aplicaciones especiales.Ejemplo: AD149 es un Transistor de Germanio, de Alta Potencia y se usa en Baja Frecuencia (audio).
CODIFICACION JAPONESA
PRIMERO.. 0 (cero) : Fototransistor o Fotodiodo.
1: Diodo.
2: Transistor.
SEGUNDO.. S: Semiconductor.
TERCERO.. A: Transistor PNP de RF (Radio Frecuencia).
B: Transistor PNP de AF (Audio Frecuencia).
C: Transistor NPN de RF.
D: Transistor NPN de AF.
F: Tiristor tipoPNPN.
G: Tiristor tipo NPNP.
CUARTO.. Numero de serie; empieza a partir del numero 11
QUINTO.. Indica un transistor mejor que el anterior.
Ejemplo:

El Transistor 2SA16A es del tipo PUP de RF con mejores características técnicas que el 2SA186.
CODIFICACION AMERICANA
Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificación con el prefijo 2N seguido por un numero que indicaba la seriede fabricación, ejemplo 2N3055, etc.
Actualmente, cada fabricante le antepone su propio prefijo, así tenemos por ejemplo: TI1411, ECG128, M4701 que corresponden respectivamente a: TEXAS INSTRUMENTS, SYLVANIA y MOTOROLA.
IDENTIFICACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR
En ocasiones, la codificación de los Transistores es borrosa y/o desconocida por lo que no podemos recurrir al Manual de Transistores paraconocer sus características técnicas siendo necesario hallarlas del siguiente modo:
IDENTIFICACION DE TERMINALES
Con un ohmímetro, en la escala de Rx1 y cuidando que los terminales externos del ohmímetro coincidan con la polaridad de la batería o pilas internas, haga lo sgte:
A.- Número de patitas al azar ver. Fig. 3 a

Coloque el ohmímetro como indican las figuras 3b, 3c y 3d, hasta...