Transistores

TRANSISTOR | TIPOS | SIMBOLO | CONSTRUCCION | CURVA CARACTERISTICA | USOS |
Bipolar | Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, loindica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor. | | El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendosiempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de transistor. | | El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad decorriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor) , una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación. |
Fet | | | El FET está compuesto de una partede siliciotipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si. Ver la figura |
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UJT | Consiste en una placa de material ligeramentedopado de silicio tipo-n. Los dos contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican como  y  respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar unajuntura p-n en el límite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado emisor () se hace a partir de este material tipo-p. El tipo n está ligeramente contaminado,mientras que el de tipo p está fuertemente contaminado. Como el tipo n está ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que estáfuertemente contaminado. | | El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otrostransistores. Es un dispositivo de disparo. Esun dispositivo que consiste de una sola unión PN | | Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para SCR y TRIAC. |
MOSFET | | | | | |
IGBT | | |...