Transistores

Páginas: 13 (3151 palabras) Publicado: 28 de octubre de 2013
Índice

Tipos de Transistores, Simbología………………………………………………………….Pág.1
Transistor bipolar de unión (BJT)………………………………………………….Pág.1
Funcionamiento……………………………………………………………………....Pág.2
Regiones operativas del transistor…………………………………………………Pág.3
Transistor de efecto de campo, de unión (JFET)…………………………………Pág.4
Tipos de transistores de efecto de campo………………………………………...Pág.5
Transistor deefecto de campo, de metal oxido Semiconductor (MOSFET)…..Pág.6
Aplicaciones………………………………………………………………………….Pág.7
Fototransistor…………………………………………………………………………Pág.8
Aplicaciones de los fototransistores……………………………………………….Pág.8
Tipos de conexión…………………………………………………………………………….Pág.9
Darlington……………………………………………………………………………..Pág.9
Funcionamiento…………………………………………………………………….Pág.10Cascode……………………………………………………………………………..Pág.10
Funcionamiento…………………………………………………………………Pág.10-11

Conclusiones………………………………………………………………………………...Pág.12














Objetivos

Conocer el comportamiento y modelado de los transistores, así como sus principales aplicaciones.
Identificar la simbología, construcción y las diferentes clasificaciones de los transistores.
Conocer los distintos tipos de conexiones de los transistores asícomo sus funcionamientos y sus diferentes características.

























Tipos de transistores. Simbología

Existen varios tipos que dependen de su proceso de construcción y de las aplicaciones a las que se destinan.

Transistor bipolar de unión (BJT)



El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT fueinventado en 1947) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. El transistor bipolar está formado por una unión PN y por otra NP, característica que hace que un semiconductor de determinado tipo se encuentre entre dos de tipo opuesto al primero, como se muestra en la figura1. Lo que se obtiene con esta configuración es una sección que proporciona cargas (de huecos o de electrones) que son captadas por otra sección a través de la sección media. El electrodo que proporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La base es la parte de en medio y forma las dos uniones, una con el colector y otra con el emisor. Además, la base controla la corrienteen el colector. Este tipo de transistores recibe el nombre de transistores de unión.









Figura 1. Símbolos y diagramas de polarización para transistores de unión.
a-) PNP. b-) NPN.
De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa elemisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.

Funcionamiento
En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados porel campo eléctrico que existe entre la base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una operación típica, la juntura base-emisor está polarizada en directa y la juntura base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la juntura base-emisor, el equilibrioentre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector....
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