transistores
Historia
El transistor bipolar fueinventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en1956. Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos, o triodo.
Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual:
Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primertransistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido decobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector
Transistor de unión bipolar:
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas eninglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantescomo el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
Transistor deefecto de campo:
El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P....
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