transistores

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión PN
Muy importante: No es un FET
Físicamente el transistor UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de unaconexión hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando así una unión PN. Ver los siguientes gráficos
Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula: Voltaje dedisparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1

Dónde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.
Dos ejemplos sencillos con el transistor UJT
Ejemplo 1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1.
¿Cuál esel voltaje de disparo aproximado?
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios
Ejemplo 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. ¿Cuál es el voltaje de disparo aproximado?
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios.
Notas:
- Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare= Ip.
- Es importante hacer notar que también se ha construido el UJT donde la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario.
FOTOTRANSISTORES








NPN con      conexión a    base


NPN sin      conexión a   base




TRANSISTORES FET








Canal N


Canal P




TRANSISTORES DE UNIÓN FET (JFET)
(Joint Field EffectTransistor - Transistor de Unión de Efecto de Campo )









Canal N


Canal P




TRANSISTORES MOSFET


Con tres terminales o patillas y sustrato unido a la fuente "S"









Tipo  Empobrecí-miento N


Tipo Empobrecí-
miento P


Tipo Enriquecí-
miento N


Tipo Enriquecí-
miento P
Transistor bipolar
El transistor de unión bipolar (del inglés BipolarJunction Transistor, o sus siglas BJT fue
PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus
Terminales. El transistor bipolar está formado por una unión PN y por otra NP, característica
Que hace que un semiconductor de determinado tipo se encuentre entre dos de tipo opuesto
Al primero, como se muestra en la figura 1. Lo que se obtiene con estaconfiguración es una
Sección que proporciona cargas (de huecos o de electrones) que son captadas por otra
Sección a través de la sección media. El electrodo que proporciona las cargas es el emisor y
El que las recoge es el colector. La base es la parte de en medio y forma las dos uniones,
Una con el colector y otra con el emisor. Además, la base controla la corriente en el colector.
Este tipo detransistores recibe el nombre de transistores de unión.
Figura 1. Símbolos y diagramas de polarización para transistores de unión.
a-) PNP. b-) NPN.
De esta manera quedan formadas tres regiones:
· Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
Comportándose como un metal.
· Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
· Colector, de extensión muchomayor.
Cuando el transistor bipolar, fue considerado una revolución. Pequeño, rápido, fiable, poco
Costoso, sobrio en sus necesidades de energía, reemplazó progresivamente a la válvula
Termoiónica durante la década de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los años 60,
Algunos fabricantes siguieron utilizando válvulas termoiónicas en equipos de radio de gama
Alta, como Collins y...