transistores

Nombre del curso: sistemas digitales básicos
Número de créditos: dos créditos
Objetivo general del curso: tener claro el conocimiento del curso y dar una
forma básica a un futuro diseñador digital para llevar a la vida, la interacción del
hombre y la máquina.
Unidades del curso:
 unidad uno: sistemas digitales básicos
 unidad dos : lenguaje VHDL
objetivos de la unidad uno:
tener claro los y entendido sistemas numéricos, octal, binarios y
hexadecimal.
 Adquirir todo el conocimiento necesario para el desarrollo de las
actividades en el transcurso de la materia.
objetivo de la unidad dos:
 Hacer un reconocimiento de la unidad
 Identificar la estructura
tipos de evaluación:
 Autoevaluación: evaluación que emplea el estudiante para valorar supropio proceso de aprendizaje en el recorrido del curso.
 Coevaluacion: se realiza a través de los grupos colaborativos y pretende


Objetivos
 Hacer un reconocimiento general de curso
 Comprender y determinar las temáticas y las unidades del curso, para tener

el conocimiento deseado para un buen proceso de aprendizaje.
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bellde EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos, o triodo.

El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontró una aplicación útil ni se disponía de la tecnologíanecesaria para fabricarlos masivamente.

Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en el canal. Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor).Los MOSFET permitieron un diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI).

Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con tecnología CMOS. La tecnología CMOS (Complementary MOS ó MOS Complementario) es un diseño con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga.El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de lasválvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.

De manera simplificada, la corriente que circula por elcolector es función amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denominaBeta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de...