Transistores
Páginas: 10 (2450 palabras)
Publicado: 10 de marzo de 2014
TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo de estado sólido que tiene tres terminales o conexiones. Su descubrimiento Los transistores bipolares, se clasifican en transistores NPN y transistores PNP, según el tipo de material empleado en su fabricación.
Los transistores bipolares son los más utilizados y se fabrican con tres capas de material semiconductor en forma de emparedado.
Cadasección o capa del transistor tiene un terminal conectado a ella. Estas secciones se conocen como: emisor, base y colector y se etiquetan con las letras iniciales E, B y C respectivamente.
Fig. 12.7 Tipos de transistores.
La dirección de la flecha del emisor indica si el transistor es tipo NPN o PNP.Fig. 12.8 Símbolos de los transistores.
La flecha siempre será el emisor. En el transistor PNP la flecha entra y en el NPN la flecha sale.
Además de su división en transistores NPN y PNP los transistores bipolares se clasifican en transistores de baja señal, de propósito general y de potencia.
Polarización de un transistor.
Las tres formas de polarizar un transistor son:
Pormedio de dos baterías.
Por realimentación.
Por divisor de tensión.
Por cualquiera de las tres formas anteriores de polarización, siempre debe quedar polarizada directamente la unión base-emisor y polarizada inversamente la unión base-colector, dependiendo del tipo de transistor (NPN o PNP).
Configuraciones de los transistores.
Los transistores se pueden conectar en tres configuracionesdiferentes: configuración de colector común, configuración de emisor común y configuración de base común.
Fig. 12.12 Configuración emisor común.
Fig. 12.13 Configuración base común.
Fig. 12.14 Configuración colector común.
TIPOS DE TRANSISTORES
TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) GART esun dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dosuniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienenciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Los transistores de efecto de campo FET’s, son dispositivos de tres terminales controlados por voltaje constituidos por un material de base tipo N o P, llamado sustrato, dentro del cual se forma una región de tipo opuesto, en forma de U, llamada canal, ligeramente dopada. El sustratoactúa como una compuerta o gate (G), uno de los extremos del canal como fuente o source (S) y el otro como drenador o drain (D). Por tanto se forma una unión PN.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.
FOTOTRANSISTOR
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incidesobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:
1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo...
El transistor es un dispositivo de estado sólido que tiene tres terminales o conexiones. Su descubrimiento Los transistores bipolares, se clasifican en transistores NPN y transistores PNP, según el tipo de material empleado en su fabricación.
Los transistores bipolares son los más utilizados y se fabrican con tres capas de material semiconductor en forma de emparedado.
Cadasección o capa del transistor tiene un terminal conectado a ella. Estas secciones se conocen como: emisor, base y colector y se etiquetan con las letras iniciales E, B y C respectivamente.
Fig. 12.7 Tipos de transistores.
La dirección de la flecha del emisor indica si el transistor es tipo NPN o PNP.Fig. 12.8 Símbolos de los transistores.
La flecha siempre será el emisor. En el transistor PNP la flecha entra y en el NPN la flecha sale.
Además de su división en transistores NPN y PNP los transistores bipolares se clasifican en transistores de baja señal, de propósito general y de potencia.
Polarización de un transistor.
Las tres formas de polarizar un transistor son:
Pormedio de dos baterías.
Por realimentación.
Por divisor de tensión.
Por cualquiera de las tres formas anteriores de polarización, siempre debe quedar polarizada directamente la unión base-emisor y polarizada inversamente la unión base-colector, dependiendo del tipo de transistor (NPN o PNP).
Configuraciones de los transistores.
Los transistores se pueden conectar en tres configuracionesdiferentes: configuración de colector común, configuración de emisor común y configuración de base común.
Fig. 12.12 Configuración emisor común.
Fig. 12.13 Configuración base común.
Fig. 12.14 Configuración colector común.
TIPOS DE TRANSISTORES
TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) GART esun dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dosuniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienenciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Los transistores de efecto de campo FET’s, son dispositivos de tres terminales controlados por voltaje constituidos por un material de base tipo N o P, llamado sustrato, dentro del cual se forma una región de tipo opuesto, en forma de U, llamada canal, ligeramente dopada. El sustratoactúa como una compuerta o gate (G), uno de los extremos del canal como fuente o source (S) y el otro como drenador o drain (D). Por tanto se forma una unión PN.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.
FOTOTRANSISTOR
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incidesobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:
1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.