transistores

TRANSISTOR BIPOLAR
Funcionamiento general
Estructura, dopados, bandas de energía y potenciales
Curvas, parámetros relevantes
Niveles de concentración de portadores
Ecuaciones d DC
de
Modelo deEbers-Moll
Modelo de pequeña señal
Polarización
Análisis de circuitos
Aplicaciones

Introducción a la Electrónica

Generalidades
• Los transistores BJT (Bipolar Junction Transistor) soncomponentes de 3
terminales, y representan la extensión natural de los diodos, por el hecho que
están compuestos por un par de junturas P-N.
• Bipolar → Entran en juego tanto electrones como huecos.• Existen dos variantes posibles de configuración, llamadas PNP y NPN, en
función de la naturaleza del dopado que tengan.
• A los terminales se los llama “Emisor”, “Base” y “Colector”.
Emisor , BaseColector .
• Constructivamente, el Emisor tiene un dopaje mucho más alto que la Base; y a su
vez la Base también tiene un dopaje mayor que el Colector.

Introducción a la ElectrónicaConfiguraciones
• Representación esquemática:

• Posibles configuraciones (modelo cuadripolo):

Introducción a la Electrónica

Curvas
• Estos dispositivos presentan curvas
p
parametrizadas, debidoal número de
corrientes y tensiones presentes.
• Existe una zona llamada de saturación,
una de corte y una activa.
• Un transistor:
– Está en corte si la juntura BE no está
polarizada.
– Estáen saturación si la juntura CB
queda polarizada en directa.
– Caso contrario se encuentra trabajando
en la zona activa, siempre que la juntura
BE esté en directa y CB en inversa.
Introducción a laElectrónica

Zonas de trabajo
• Si bien el transistor BJT pareciera ser
un dispositivo simétrico (ColectorEmisor), constructivamente el
p
Colector tiene una superficie mucho
mayor que elEmisor. Por este
motivo, si bien es posible el
funcionamiento en inversa, las
características son totalmente
diferentes y la performance en
amplificación es muy pobre.

Introducción a la...