transistores

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENRIA ELECTRONICA Y ELECTRICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (BJT)

I. OBJETIVO

Conocer la polarización y empleo del transistor bipolar de juntura.

II. MATERIALES Y EQUIPOS

R=1.2K,270K,127K,1K,12K,1.5K,120Ω
Transistor (Tr) 2N2222 cantidad 2
Fuente de alimentación
Multímetro (VOM)III. PROCEDIMIENTO

1. Reconocer los terminales y el tipo de diferentes transistores. Anotar sus observaciones.

Un transistor de UNION BIPOLAR está formado por dos UNIONES PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, se encarga de proporcionar portadores de carga.
Base, controla el paso decorriente a través del transistor .Es el cristal de en medio.
Colector, se encarga de recoger los portadores de carga.

Tipos de transistores:

NPN, es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras “N” y “P” se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día sonNPN, debido a que la movilidad de los “huecos” en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.

PNP, el otro tipo de transistor bipolar es el PNP con letras “P” y “N” refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en lamayoría de circunstancias.


2. Implementar los circuitos de la figura 1,2 y 3.
3. Para cada circuito realizar.

Circuito 1
Datos:
VBE=0.7
Ib=41.852uA
Ic=7.93mA
Vce=2.48v








Hallando en punto de operación:
Icmax=Vcc/Rc
Icmax=10mA
Vce=12V





Circuito 2


Datos:

Ib=30.8uA
VBE=0.7V
Ic=6.13mA
Vce=4.61V












Hallando en punto de operación:Icmax=Vcc/Rc
Icmax=10mA
Vce=12V



















Circuito 3



Datos:
Ib=24.2uA
VBE=0.7V
Ic=5mA
Vce=6.39V











Hallando el punto de operación:
Icmax=Vcc/Rc+Re
Icmax=12/1K+120Ω
Icmax=10.71mA
Vce=Vcc
Vce=12V















IV. CUESTIONARIO FINAL

1. Defina a un transistor bipolar.
DEFINICION:
El transistor de uniónbipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) GART es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivosy electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.


FUNCIONAMIENTO:
En una configuraciónnormal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede serconsiderado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se...