TRANSISTORES

TRANSISTOR
CONCEPTO
El Transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de “transfer resistor” (resistencia de transferencia). Actualmente
se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios,
televisores, grabadores,reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas,
lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de
cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de
rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Sustituto de válvula termoiónica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue
inventado en los LaboratoriosBell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen,
Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con
el Premio Nobel de Física en 1956.

CLASIFICACIÓN
Los transistores se clasifican por:
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Material semiconductor: germanio, el silicio, arseniuro de galio, el carburo de
silicio, etc.
Estructura: BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT,"otros tipos"
Polaridad: NPN, PNP (BJTs); N-canal, P-canal (FETs)
Potencia máxima calificación: bajo, medio, alto
Frecuencia máxima de funcionamiento: bajo, medio, alto, la frecuencia de radio
(RF), de microondas, etc.
Aplicación: cambiar, de propósito general, audio, de alta tensión, super-beta, par
Física embalaje: a través de agujeros de metal, a través de agujeros de plástico,
montaje ensuperficie, la bola de la red matriz, módulos de potencia
Factor de amplificación Hfe.

Así, un transistor puede describirse como: silicio, de montaje superficial, BJT, NPN, de
baja potencia, el interruptor de alta frecuencia, de propósito general.

ESTRUCTURAS DE LOS TRANSISTORES
BJT
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar
Junction Transistor, o sus siglas BJT) es undispositivo
electrónico de estado sólido consistente en dos uniones
Para ver esta pel’cula, debe
PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso
disponer de QuickTimeª y de
un descompresor .
de la corriente a través de sus terminales. Los
transistores bipolares se usan generalmente en
electrónica analógica. También en algunas aplicaciones
de electrónica digital como la tecnología TTL (Delacrónimo en Inglés de Transistor-Transistor Logic o "Lógica Transistor a Transistor") o
BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta forma quedan
formadas tres regiones:
 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal.
 Base, laintermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento
normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser
muy angosta, hay pocarecombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado
de actividad.
JFET
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español
transistor de efecto de campo de unión) es un circuito
que, según unos valores eléctricos de entrada,
reacciona dando unos valores de salida. En el caso de
los JFET, al sertransistores de efecto de campo
eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones
eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales
S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la
salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en
ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.

Físicamente, un JFET de los denominados...