Transistores
Páginas: 5 (1003 palabras)
Publicado: 16 de mayo de 2014
Transistor
1. Historia de los transistores de unión bipolar
Antes de hablar sobre los transistores de unión bipolar específicamente, me gustaría introducir el concepto de transistor, la historia general de este dispositivo, así como en antecesor de este.
Bueno, todo inicia en con el desarrollo de la electrónica ligado al desarrollo de la radio. Durante el periodo de 1904 a 1947, el tubode vacío, o bulbo, fue sin duda el dispositivo electrónico de mayor interés y desarrollo. J. A. Fleming presentó en 1904 el diodo de tubo de vacío. Basados en tubos de vacío se construyen diferentes tipos de circuitos con aplicación en las comunicaciones por radio. La verdadera revolución tecnológica de la Electrónica surge con la invención de los dispositivos basados en semiconductores, y más enconcreto, con la invención del transistor. Los primeros trabajos sobre semiconductores fueron comenzados por Hall en 1879 sobre el efecto que lleva su nombre. Los primeros rectificadores de unión metal-semiconductor se estudian entre 1920 y 1930, y es en 1938 cuando Shottky y Mott realizan separadamente un estudio sistemático sobre las propiedades de estos dispositivos, proponiendo la primerateoría del espacio de carga.
En 1947, se presionaron dos sondas de hilo de oro próximas entre sí sobre una superficie de un cristal de germanio. Brattain y Bardeen se dieron cuenta que era un dispositivo amplificador naciendo así el primer amplificador de estado sólido (en forma de transistor de contacto). Sin embargo, era un transistor deficiente, de poca amplitud de banda y mucho ruido, dondeademás los parámetros diferían ampliamente de uno a otro dispositivo. Shockley propuso el transistor de unión para mejorar las características del transistor de punta de contacto, y completó su teoría de funcionamiento. El nuevo dispositivo tenía portadores de ambas polaridades operando simultáneamente: eran dispositivos bipolares. En 1956, Bardeen, Brattain y Shockley recibieron el premio Nobel defísica por sus investigaciones.
Es interesante ver como el trabajo en equipo y a la vez por separado de estos 3 personajes hace posible el desarrollo de uno de los componentes que más ha influido en el avance tecnológico y en el desarrollo de la sociedad; por una parte Bardeen y Brattain haciendo el primer transistor, y por otra Schokley identificando su falla y haciendo uno mejorando la primeraversión, elemento que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
2. Construcción de transistores
Los transistores han sido miniaturizados hasta el punto de que millones pueden ser grabados sobre la superficie de un microchip hecho de silicio. Los transistores se hicieron en un principio intercalando los materiales semiconductores. Cuando se aplica corriente almaterial entre los dos diodos, eso permite que la corriente fluya entre los diodos, actuando así como un interruptor. Si el transistor es un amplificador de corriente, el material entre los dos diodos aumenta la potencia de salida por el transistor generando amplificación.
Un transistor bipolar de unión está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente, el transistor estáconstituido por tres regiones semiconductoras **Emisor, Base y Colector** siendo la región de base muy delgada (< 1μm).
El modo normal de hacer operar
a un transistor es en la
zona directa.
Y se mantiene que
El término bipolar Se refiere a la utilización de los dos agujeros y electrones como portadores de carga en la estructura de transistor Para que el transistor funcione correctamente, lasdos uniones deben tener la correcta polarización.
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas.
Su diferencia radica en la dirección...
1. Historia de los transistores de unión bipolar
Antes de hablar sobre los transistores de unión bipolar específicamente, me gustaría introducir el concepto de transistor, la historia general de este dispositivo, así como en antecesor de este.
Bueno, todo inicia en con el desarrollo de la electrónica ligado al desarrollo de la radio. Durante el periodo de 1904 a 1947, el tubode vacío, o bulbo, fue sin duda el dispositivo electrónico de mayor interés y desarrollo. J. A. Fleming presentó en 1904 el diodo de tubo de vacío. Basados en tubos de vacío se construyen diferentes tipos de circuitos con aplicación en las comunicaciones por radio. La verdadera revolución tecnológica de la Electrónica surge con la invención de los dispositivos basados en semiconductores, y más enconcreto, con la invención del transistor. Los primeros trabajos sobre semiconductores fueron comenzados por Hall en 1879 sobre el efecto que lleva su nombre. Los primeros rectificadores de unión metal-semiconductor se estudian entre 1920 y 1930, y es en 1938 cuando Shottky y Mott realizan separadamente un estudio sistemático sobre las propiedades de estos dispositivos, proponiendo la primerateoría del espacio de carga.
En 1947, se presionaron dos sondas de hilo de oro próximas entre sí sobre una superficie de un cristal de germanio. Brattain y Bardeen se dieron cuenta que era un dispositivo amplificador naciendo así el primer amplificador de estado sólido (en forma de transistor de contacto). Sin embargo, era un transistor deficiente, de poca amplitud de banda y mucho ruido, dondeademás los parámetros diferían ampliamente de uno a otro dispositivo. Shockley propuso el transistor de unión para mejorar las características del transistor de punta de contacto, y completó su teoría de funcionamiento. El nuevo dispositivo tenía portadores de ambas polaridades operando simultáneamente: eran dispositivos bipolares. En 1956, Bardeen, Brattain y Shockley recibieron el premio Nobel defísica por sus investigaciones.
Es interesante ver como el trabajo en equipo y a la vez por separado de estos 3 personajes hace posible el desarrollo de uno de los componentes que más ha influido en el avance tecnológico y en el desarrollo de la sociedad; por una parte Bardeen y Brattain haciendo el primer transistor, y por otra Schokley identificando su falla y haciendo uno mejorando la primeraversión, elemento que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
2. Construcción de transistores
Los transistores han sido miniaturizados hasta el punto de que millones pueden ser grabados sobre la superficie de un microchip hecho de silicio. Los transistores se hicieron en un principio intercalando los materiales semiconductores. Cuando se aplica corriente almaterial entre los dos diodos, eso permite que la corriente fluya entre los diodos, actuando así como un interruptor. Si el transistor es un amplificador de corriente, el material entre los dos diodos aumenta la potencia de salida por el transistor generando amplificación.
Un transistor bipolar de unión está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente, el transistor estáconstituido por tres regiones semiconductoras **Emisor, Base y Colector** siendo la región de base muy delgada (< 1μm).
El modo normal de hacer operar
a un transistor es en la
zona directa.
Y se mantiene que
El término bipolar Se refiere a la utilización de los dos agujeros y electrones como portadores de carga en la estructura de transistor Para que el transistor funcione correctamente, lasdos uniones deben tener la correcta polarización.
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas.
Su diferencia radica en la dirección...
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