Transistores

República Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular para la Educación
E. T. I ``Cecilio Acosta´´
4to año ``A´´ de instrumentación
San Félix – Edo. Bolívar

Profesor: Alumnos:
Noel Grillet

Ciudad Guayana,18-06-201
Índice
Introducción pág. 1
Transistor definición pág. 2
Tipos de transistores pág. 2.2, 3,4
Regiones operativas del transistor pág. 4.1, 5
Características de transistores deefecto de campo pág. 5.1
Anexos pág. 6
Conclusión pág. 7
Bibliografía pág. 8

Introducción
Los transistores son dispositivos de estado sólido, en cierto modo son similares alos diodos. Pero un transistores más complejo y tiene un mayor número de aplicaciones. Como usted sabe, un transistor tiene tres componentes y está construido de material semiconductor. El método de fabricación es similar al usado en la construcción de diodos tipo PN.

* Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador,conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc.

* Tipos detransistores
* Transistor de contacto puntual
Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Barden y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y elcolector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de «transfer resistor». Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor anchode banda. En la actualidad ha desaparecido.
* Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, secontaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
Laconfiguración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el...