TRansistores

2. OBJETIVO(S):
2.1 GENERAL:
-Tener conocimiento del funcionamiento de los transistores FET, para poder diferenciarlos de los BJT y entender su funcionamiento en CD.
- Comprobar los fundamentos teóricos de la asignatura mediante la experimentación empleando los medios de enseñanza necesarios, garantizando el trabajo individual en la ejecución de la práctica.

2.2 ESPECIFICOS:-Determinar las corrientes de drenaje, y gate de forma práctica y compararla con los resultados teóricos.
-Hallar el punto de operación del transistor y observar los cambios que experimenta la relación de ganancia frente a los cambios de temperatura.

3. METODOLOGÍA
1.- Realizar previamente cálculos para determinar valores de corriente en el transistor.
2.- Armar el circuito en forma práctica y tomarlas correspondientes medidas
3.- Armar el circuito correspondiente en algún simulador de circuitos electrónicos y tomar medidas de corriente.
4.-Anotar los resultados en una tabla de valores calculados, medidos y simulados para la correspondiente comparación.

4. EQUIPOS Y MATERIALES

EQUIPOS MATERIALES-Protoboard -Transistor MOSFET IR730n
-Amperímetro -Cable
-Voltímetro -Resistores
-Fuente de cd







5. MARCO TEÓRICO

FET (FieldEfect Transistor)

Transistor de efecto del campo. Está formado por una barra de semiconductor N o P que se llama el canal, tiene un cinturón o estrechamiento del otro tipo de semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el cinturón se une al terminal G (Gate, compuerta).
Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente IDque depende de la resistencia del canal, si se aplica un voltaje VGS negativo (G = -, S = +) el diodo formado por el cinturón y el canal queda en inverso y no hay corriente de compuerta (IG = 0) pero el voltaje negativo es G repele las cargas negativas que pasan por el canal que aparece como un aumento de resistencia y la corriente ID disminuye, haciendo mayor o menor la magnitud de VGS haremosque ID disminuya o aumente, así se obtiene un control de ID, siendo la variable de control del voltaje VGS.
En el FET la relación entre ID y VGS está dada por la ecuación de Schotkley:
ID = IDSS (1 - (VGS/VP))²
IDSS y VP son constantes características de cada tipo o referencia de transistor, se obtienen en las hojas de especificaciones del fabricante. Los circuitos de polarización de FET yMOSFET se encuentran en la Tabla No. 3 donde el punto de trabajo se da por el corte de la parábola de la ecuación de Schotkley y la recta de carga del circuito.
Los transistores FET y MOSFET se usan como amplificadores, donde su característica más importante es su alta impedancia de entrada por efecto de IG = 0.



Ventajas y desventajas del FET

Las ventajas del FET puedenresumirse como sigue:
1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (del orden de 107 W). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Los FET so más estables con la temperatura que losBJT.
4. Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor número de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor).
5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión para valores pequeños de tensión de drenaje a fuente....