transistores


LOS TRANSISTORES 2. Transistores de Unión Bipolar  El transistor de unión bipolar (del ingles Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado solido consiste en dos uniones PN muy cercanas entre si, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.  Los transistores bipolares se usan generalmente en electrónica analógica. Tambiénen algunas aplicaciones de electrónica digital como tecnología TTL o BICMOS.
. Transistores de Unión Bipolar  Un transistor de unión bipolar esta formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por un región muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones:  Emisor: Que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopadas, comportándose como un metal. Base: La intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.  Colector: De extensión mucho mayor.
Transistores de Unión Bipolar  La técnica de fabricación mas común de un transistor es por la disposición epitaxial.  La función normalmente, es la unión base- emisor esta polarizada directamente, mientras que la base-colector en inversa.  Los portadores de carga emitidos por elemisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.  El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.
ESTRUCTURA O Transistor NPN. O Dispositivos de dos uniones semiconductoras, formando tres zonas. Transistores que tiene una región P entre 2 regiones N.
Un transistorbipolar cosiste en 3 regiones semiconductoras dopadas. O Región emisor, región de la base, región colector. O Las regiones pueden se de tipo P-N-P o N-P-N según se como corresponda. O La base esta localizada físicamente entre el emisor y colector.
. O El transistor bipolar de juntura, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico, “ esto quiere decir que elintercambio de colector a emisor deja de funcionar de manera activa”. O La falta de simetría es principal a las tasas de dopaje. “ emisor-colector”, emisor + dopaje, colector – ligeramente dopado “esto permite aplicar gran tensión de reversa, colector-base”.
. O La razón por la que el emisor esta altamente dopado es para una gran ganancia de corriente. O El bajo desempeño de los transistores bipolareslaterales (CMOS), son simétricamente diseñados “no hay diferencia entre activo –reversa.” O Cambios de tensión en los terminales base-emisor genera que entre el emisor-colector, “se utiliza para amplificar la tensión”.
. O Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, y los actuales están fabricados silicio.
. Transistor NPN O NPN, uno de los dos tipos de transistores bipolares. O“N” y “P” portadores de carga mayoritaria en las regiones del transistor. O En la actualidad NPN, son los mas utilizados debido a la movilidad del electro es mayor, “permitiendo + corriente y velocidades de operación”.
. Circuito NPN Simbología NPN
. Transistor PNP  “P” y “N” refiriéndose a las cargar mayoritarias dentro de las diferencias del transistor.  Son muy pocos utilizados debido a que NPNbrindan un mejor desempeño.  PNP consiste en un capa material semiconductora dopada N entre dos capas de material P  Operación PNP son desde el colector a masa y el emisor al terminal positivo de la fuente.
. SCR

3. RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR) DEFINICIÓN.  El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestableformado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta.  Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez. Simbolo del SCR
4. CARACTERÍSTICAS GENERALES Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fácil...